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公开(公告)号：CN112335032B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201980023731.9
申请日：2019-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。
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公开(公告)号：CN113966412B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080043118.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117524848A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311477340.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C16/26 , G03F7/20 , H01L21/311 , H01L21/683 , H01L21/67 , H10B43/27 , H10B41/20 , H01L21/033 , H10B41/27 , H10B43/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN117293018A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311074164.4
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3105 , H01L21/033
Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
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公开(公告)号：CN117165927A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311137299.0
申请日：2016-09-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于通过将基板表面暴露于硼烷前驱物而在基板表面上形成碳化硼膜的方法。碳化硼膜任选地包含氮和/或氢。碳化硼膜可沉积在大体上不包含硼的表面上。硼烷前驱物可以包括具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1‑C10烷基、C1‑C10烯基和芳基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116978778A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310971928.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN111066139B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880057132.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述产生自对准结构的方法。所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积和处理金属膜以形成金属次氧化物膜的工艺，直到在基板特征内形成预定深度的金属次氧化物膜为止。
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公开(公告)号：CN110546753B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880026884.4
申请日：2018-04-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065
Abstract: 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。
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公开(公告)号：CN116546817A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310532735.8
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。
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公开(公告)号：CN116368599A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180069574.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。
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