-
公开(公告)号：CN116438329A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180027884.8
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供了用于在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法和设备。在一些实施方式中，一种在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法包括：将包括镍或镍合金的半导体制造设备部件按顺序暴露于铝前驱物和反应物，以通过沉积工艺在半导体制造设备部件的表面上形成含铝层。
-
公开(公告)号：CN108138336B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201680057628.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
-
公开(公告)号：CN109791866B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
-
公开(公告)号：CN111989762A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026264.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。
-
公开(公告)号：CN109983155A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780058629.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之前的基板可增加一个数量级。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791866A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
-
公开(公告)号：CN105143502B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480013391.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/00 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。
-
公开(公告)号：CN107208262A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580063083.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。
-
公开(公告)号：CN104813450A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061897.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/324 , H01L21/326
Abstract: 本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一种或更多种挥发性产物，和加热所述基板至高于第一温度的第二温度以升华所述挥发性产物。
-
公开(公告)号：CN104737275A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.026 seconds)
