公开(公告)号：CN107017236A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611135645.1

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈韦廷 ,  陈颉彦 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅 ,  余振华

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。

公开(公告)号：CN103311219A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310058749.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06515 ,  Y10T29/4902

Abstract: 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。

公开(公告)号：CN115390197A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210142209.6

申请日：2022-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈又豪 ,  翁崇铭 ,  于宗源 ,  李惠宇 ,  郭鸿毅 ,  管瑞丰 ,  吴建德

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)，其中OTV从衬底的第一侧延伸穿过衬底到衬底的第二侧。

公开(公告)号：CN107026093B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710057555.3

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱强瑞 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明实施例揭露一种封装件及方法。其中，所述封装件包括装置裸片；以及囊封材料，囊封所述装置裸片于其中。所述囊封材料具有顶部表面，其与所述装置裸片的顶部表面共平面。线圈是从所述囊封材料的所述顶部表面延伸到所述囊封材料的底部表面，以及所述装置裸片在所述线圈所圈绕的区中。至少一个介电层形成于所述囊封材料以及所述线圈上方。多个重布线在所述至少一个介电层中。所述线圈通过所述重布线电耦合到所述装置裸片。

公开(公告)号：CN107068625B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201610969011.X

申请日：2016-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/64

Abstract: 本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构。一种结构，其包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面；以及空腔，在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。

公开(公告)号：CN110364505A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910089343.2

申请日：2019-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  潘国龙 ,  郭鸿毅 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体封装件包括：第一管芯；第一再分布结构，位于第一管芯上，第一再分布结构与第一管芯共末端；第二管芯，位于第一管芯上，第一管芯的第一部分延伸超出第二管芯的横向范围；导电柱，位于第一管芯的第一部分上并且与第二管芯横向相邻，导电柱电耦合到第一管芯；模制材料，位于第一管芯、第二管芯和导电柱周围；以及第二再分布结构，位于模制材料上，第二再分布结构电耦合到导电柱和第二管芯。本发明的实施例还涉及多芯片半导体封装件。

公开(公告)号：CN109585309A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810979949.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

公开(公告)号：CN107644865A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610894180.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  赖昱嘉 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/566 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。封装结构包括芯片、模制组件以及重布线电路结构。芯片包括半导体基板、连接件以及钝化层。半导体基板具有上表面。连接件配置于半导体基板的上表面上方。钝化层配置于半导体基板的上表面上方且暴露部分连接件。模制组件侧向围绕半导体基板，其中模制组件的上表面高于半导体基板的上表面且模制组件形成挂钩结构，挂钩结构挂在半导体基板的边缘部分上。重布线电路结构延伸于钝化层以及模制组件上方，以及电连接连接件。

公开(公告)号：CN107157466A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201611243622.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  杜贤明 ,  梁世纬 ,  黄章斌 ,  陈志华 ,  陈玉芬 ,  余振华

IPC: A61B5/024

CPC classification number: A61B5/02427 ,  A61B5/721 ,  A61B2562/0233 ,  A61B2562/12 ,  H04B10/40

Abstract: 本发明公开了光学感测系统。该光学感测系统包括印刷电路板(PCB)、支持件和光学传感器。PCB包括顶面、底面和空腔，其中，该空腔从顶面向下延伸至底面。该支持件具有顶面和底面。光学传感器接合并且耦合至支持件的顶面，其中，光学传感器包括初级光学结构。其中，翻转支持件并且接合至PCB，其中，支持件的顶面面向空腔，从而使得该光学传感器耦合至PCB并且至少部分地延伸至空腔。也公开了相关的电子器件。

公开(公告)号：CN103904052B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310067452.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  邵栋梁 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  陈洁

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L28/60 ,  H01L29/00 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及的是一种器件，包括金属焊盘和具有与金属焊盘重叠的部分的钝化层。电容器包括位于钝化层下方的底部电容器电极，其中，该底部电容器包括金属焊盘。电容器另外包括位于部分钝化层上方的顶部电容器电极；以及包括部分钝化层的电容器绝缘体。本发明还提供了一种后钝化结构中的电容器及其形成方法。