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公开(公告)号：CN107337175B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710296032.4
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。
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公开(公告)号：CN106206449B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510310463.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种形成具有良好的良率的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，通过在下部金属互连层上方形成底电极，以及在底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层来实施该方法。在介电数据存储层上形成覆盖层。覆盖层具有第二厚度，第二厚度比第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内。在覆盖层上方形成顶电极，以及在顶电极上方形成上部金属互连层。本发明涉及具有优化的膜方案的高良率RRAM单元。
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公开(公告)号：CN104979470B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510069809.4
申请日：2015-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及形成具有减小的泄漏电流的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，该方法通过以下步骤实施：使用至少形成底电极的顶部的原子层沉积(ALD)工艺在下金属互连层上方形成底电极；随着底电极的顶部的形成，在底电极的顶部上原位形成介电数据存储层；在介电数据存储层上方形成顶电极，并且在顶电极上方形成上金属互连层。通过随着上面的介电数据存储层的形成而使用ALD工艺原位形成底电极的顶部，改进了RRAM单元的泄漏电流、泄漏电流分布和器件良率。本发明还涉及RRAM单元的底电极的形成。
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公开(公告)号：CN106711327A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610995885.2
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的实施例提供了RRAM器件的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构，包括第一电极和第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的绝缘层。可以在绝缘层内形成提供RRAM器件的切换功能的导电丝线。此外，富含氮的金属层置于第二电极和绝缘层之间。富含氮的金属层包括比邻近的第二电极更大的氮浓度。本发明的实施例还提供了金属‑绝缘体‑金属电容器结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106159083A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510148817.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种形成具有介电数据层的RRAM单元的方法和相关的装置，介电数据层配置为提供良好的性能、器件良率、和数据保持。在一些实施例中，通过形成具有底电极层、顶电极层和设置在底电极层和顶电极层之间的介电数据存储层的RRAM膜堆叠件来实施该方法，其中底电极层设置在半导体衬底上方。介电数据存储层包括具有氢掺杂的氧化物的性能增强层和具有氧化铝的数据保持层。然后，根据一个或多个掩蔽层图案化RRAM膜堆叠件以形成顶电极和底电极；以及在电接触顶电极的位置处形成上部金属互连层。本发明涉及用于RRAM结构的氧化物膜方案。
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公开(公告)号：CN105280812A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510114823.1
申请日：2015-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 一些实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括RRAM底部金属电极、布置在RRAM底部金属电极上方的可变电阻介电层以及布置在可变电阻介电层上方的RRAM顶部金属电极。覆盖层布置在RRAM顶部金属电极上方。覆盖层的下表面和RRAM顶部金属电极的上表面在界面处接触。保护侧壁邻近RRAM顶部金属电极的外侧壁。保护侧壁具有与RRAM顶部金属电极的上表面接触覆盖层的下表面的界面至少基本对准的上表面。本发明还涉及用于RRAM的保护侧壁技术。
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公开(公告)号：CN104425719A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410336489.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14665 , H01L51/107
Abstract: 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。在有机光电二极管中形成沟槽以增大PN结的界面面积，这改进了光电二极管的量子效率(QE)。以液体形式施加有机P型材料以填充沟槽。可以使用具有不同的功函值和厚度的P型材料的混合物以满足用于光电二极管的期望功函值。
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公开(公告)号：CN103378116A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310119820.8
申请日：2013-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02168
Abstract: 一种形成图像传感器件的方法，包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。
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公开(公告)号：CN101060141A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710098239.7
申请日：2007-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92 , H01L23/522 , H01L27/00 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01G4/10 , H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，该结构具有较高电容并可减少穿隧电流。在较佳实施例中，该结构具有第一电极，包含一磁矩为第一方向的磁性金属；以及第二电极，包含一磁矩为第二方向的磁性金属，其中第一方向与第二方向是反向平行。此外，更包括接触第一电极与第二电极的介电层，此介电层隔开第一电极与第二电极。本发明所述的金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，可避免介电层的漏电流，并可增加MIM结构的电容同时缩减其厚度。
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