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公开(公告)号：CN104037321B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201310231336.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括磁性基准层和隧道阻挡层。所述MTJ结构还包括设置到所述隧道阻挡层上的多个分离的自由磁区。所述伸长的MTJ结构的长宽比为使得所述磁性基准层的磁场以单一方向固定。本发明还公开了一种伸长的磁阻式隧道结结构。
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公开(公告)号：CN103296197A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210202815.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08
Abstract: 公开了可以作为磁随机存取存储器单元使用的磁隧道结(MTJ)的方法和装置。MTJ包括自由层和绝缘层。MTJ还包括具有第一区、第二区和第三区的固定层。第二区具有第一长度和第一厚度，以及第一区和第三区具有第二长度和第二厚度。第一厚度与第二厚度的比率可以大于1.2。第二长度与第一长度的比率大于0.5。第一厚度可以大于固定层材料的自旋扩散长度。这样形成的MTJ导致MTJ的隧穿磁电阻比增大而临界切换电流降低。本发明提供了磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)。
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公开(公告)号：CN104979470B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510069809.4
申请日：2015-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及形成具有减小的泄漏电流的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，该方法通过以下步骤实施：使用至少形成底电极的顶部的原子层沉积(ALD)工艺在下金属互连层上方形成底电极；随着底电极的顶部的形成，在底电极的顶部上原位形成介电数据存储层；在介电数据存储层上方形成顶电极，并且在顶电极上方形成上金属互连层。通过随着上面的介电数据存储层的形成而使用ALD工艺原位形成底电极的顶部，改进了RRAM单元的泄漏电流、泄漏电流分布和器件良率。本发明还涉及RRAM单元的底电极的形成。
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公开(公告)号：CN103594618A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310294412.6
申请日：2013-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件。该器件包括：具有反铁磁材料并设置在第一电极上方的固定层；设置在该固定层上方的被固定层；设置在该被固定层上方的隧道层，设置在该隧道层上方的自由层以及设置在该自由层上方的保护层。该保护层包括金属氧化物和金属氮化物材料。本发明提供磁阻随机存取存储器单元及其制造方法。
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公开(公告)号：CN108550694A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810293503.0
申请日：2013-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件。该器件包括：具有反铁磁材料并设置在第一电极上方的固定层；设置在该固定层上方的被固定层；设置在该被固定层上方的隧道层，设置在该隧道层上方的自由层以及设置在该自由层上方的保护层。该保护层包括金属氧化物和金属氮化物材料。本发明提供磁阻随机存取存储器单元及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296197B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210202815.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08
Abstract: 公开了可以作为磁随机存取存储器单元使用的磁隧道结(MTJ)的方法和装置。MTJ包括自由层和绝缘层。MTJ还包括具有第一区、第二区和第三区的固定层。第二区具有第一长度和第一厚度，以及第一区和第三区具有第二长度和第二厚度。第一厚度与第二厚度的比率可以大于1.2。第二长度与第一长度的比率大于0.5。第一厚度可以大于固定层材料的自旋扩散长度。这样形成的MTJ导致MTJ的隧穿磁电阻比增大而临界切换电流降低。本发明提供了磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)。
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公开(公告)号：CN104037321A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310231336.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/02 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括磁性基准层和隧道阻挡层。所述MTJ结构还包括设置到所述隧道阻挡层上的多个分离的自由磁区。所述伸长的MTJ结构的长宽比为使得所述磁性基准层的磁场以单一方向固定。本发明还公开了一种伸长的磁阻式隧道结结构。
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公开(公告)号：CN114864808A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210306503.6
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电极的侧壁。导电特征部件接触顶部电极。
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公开(公告)号：CN107046038B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201611202250.9
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L29/51 , G11C16/02
Abstract: 本发明的实施例公开了一种存储器件的实施例。存储器件包括：位于衬底上方的多堆叠介电层；位于多堆叠介电层上方的第一导电层；位于第一导电层上方的第二导电层；位于第二导电层上方的吸气层，其中，吸气层包括由钛形成的第一层和位于第一层上的由氮化钽形成的第二层；以及位于吸气层上的互连层，从而使得互连层电耦合至第一导电层。本发明的实施例还公开了一种半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107046038A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611202250.9
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L29/51 , G11C16/02
CPC classification number: H01L23/26 , H01L21/02186 , H01L21/28282 , H01L23/5226 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L27/115 , G11C16/02 , H01L29/511 , H01L29/518
Abstract: 本发明的实施例公开了一种存储器件的实施例。存储器件包括：位于衬底上方的多堆叠介电层；位于多堆叠介电层上方的第一导电层；位于第一导电层上方的第二导电层；位于第二导电层上方的吸气层，其中，吸气层包括由钛形成的第一层和位于第一层上的由氮化钽形成的第二层；以及位于吸气层上的互连层，从而使得互连层电耦合至第一导电层。本发明的实施例还公开了一种半导体器件及其形成方法。
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