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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
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公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102998037A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN116062681A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515516.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支撑锚点；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆；（c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀；（g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的完整性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116015234A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211516207.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种静电型MOEMS振镜高压驱动运放电路，包括：输入差分放大电路，用于在接入两路输入差分电压，并对两路输入差分电压进行初级放大电压；中间级放大电路，连接于所述输入差分放大电路，用于将所述初级放大电压进行中间级放大，以输出中间级放大电压，供所述输出推挽功率放大电路；挽功率放大电路，用于将所述中间级放大电压进行功率放大输出推挽功率放大信号。本发明的优点在于：通过差分放大电路、中间级放大电路以及推挽功率放大电路进行功率放大并输出。运放电路的器件耐压较高，其中的推挽功率放大电路，采用互补推挽电路结构，防止输出信号形变。
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公开(公告)号：CN115793515A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211341060.0
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G05B19/042 , G02B26/08
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。
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公开(公告)号：CN106128972A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610643554.2
申请日：2016-08-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/30
Abstract: 本发明公开一种分立裸芯片探针测试定位矩阵装置，包括呈SOI结构的载体硅片，载体硅片的顶层设有定位槽阵列，定位槽阵列包含两个以上的阵列区，每个阵列区均由一组定位槽构成阵列，各个阵列区的定位槽分别与各个尺寸的分立裸芯片形成配合；所有的定位槽均采用干法刻蚀工艺制得；由于载体硅片的埋氧层具有对干法刻蚀工艺无响应的特点，所以蚀刻后埋氧层的顶面即是定位槽的底面，能够保证定位槽底面的平整度；另外，干法刻蚀工艺对定位槽内壁钻蚀微弱，也保证了定位槽内壁的垂直度；将定位槽阵列分成不同的阵列区域，每个阵列区域中的定位槽分别对应一种尺寸的分立裸芯片，实现在同一载体上同时对多种尺寸分立裸芯片的批量定位。
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公开(公告)号：CN104355285B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN105242069A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510659840.3
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/18 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗过载电容式三轴MEMS加速度计，包括设于衬底上的X轴向、Y轴向与Z轴向检测单元，X轴向、Y轴向与Z轴向检测单元分别设有X轴向、Y轴向与Z轴向应力释放梁，X轴向、Y轴向应力释放梁均呈“口”字型，分别设于各自的弹性梁上；Z轴向应力释放梁均包含两级呈“冂”字形的应力释放梁，设于Z轴质量块的开口侧；通过应力释放梁将应力集中区域由各自锚点与各轴向弹性梁的连接处扩展到整个弹性梁上，有效分担应力集中区域的应力；避免了加速度计受高过载冲击的影响，保证了加速度计能在高过载下正常工作，提高了加速度计的固有频率，振型更加稳定。
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