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公开(公告)号：CN117723921A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311508010.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。
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公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
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公开(公告)号：CN116702461A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310629411.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种基于温‑湿度交互作用的元器件加速寿命预测方法，包括如下步骤：S1、进行加速寿命试验，获取性能退化数据；S2、基于Wiener过程进行产品性能退化建模；S3、温‑湿度交互作用加速寿命模型参数估计；S4、进行寿命和可靠性评估；S5、加速寿命模型有效性评估。本发明不但考虑了温度和湿度的影响，还充分考虑了二者的交互作用，更符合元器件在复杂环境下的实际应用情况，为元器件寿命预测和可靠性评估提供了一种新的可行的加速寿命模型。
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公开(公告)号：CN116090190A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211630676.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种元器件加速寿命预测模型评估方法，包括如下步骤：S1、利用所有数据建立可靠度模型R*(t)；设T1,T2,T3,…,TS为产品的加速应力；S2、将加速应力以S‑1：1的比例进行划分，将数据划分为训练数据和测试数据；S3、根据每个组合中的训练数据建立可靠度模型，推导测试数据对应应力的可靠度函数，记为R(t)；利用测试数据单独进行可靠度建模，将所得的可靠度函数定为标准可靠度函数，记为R0(t)；S4、将所有组合的R(t)与R0(t)进行比较，若误差均在给定的阈值范围内，即模型R*(t)准确。本发明为加速寿命预测模型的准确性评估问题提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN111007078B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114414972A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
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公开(公告)号：CN117890758A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311757259.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种FPGA芯片高温筛选测试装置，包括工装socket、温控板、接口板和ATE设备；所述工装socket内设置有热敏电阻、大功率加热电阻和风扇；所述接口板上设置有信号接口；所述温控板通过金手指接插件与接口板进行信号交互，温控板通过接口板和ATE设备在硬件上形成通讯链路；通过所述温控板进行FPGA芯片的温度控制，并将温控效果自动反馈给所述ATE设备，当检测到芯片温度达到测试要求时，机台端自动开始测试。本发明提供的FPGA芯片高温筛选测试装置及其测试方法减少了人工操作，简化了测试流程，节省了占地面积。
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公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
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