公开(公告)号：CN101499443A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810191051.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小林初 ,  柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件安装用基板具有由绝缘性树脂形成的绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接并且从配线层向与绝缘树脂层相反的一侧突出而用于支承低熔点金属球的突起部。配线层以及突起部一体形成。

公开(公告)号：CN101231963A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307782.3

申请日：2007-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法和便携设备。在将突起结构埋入绝缘层中以将金属板、绝缘层和电路元件层积的半导体模块中，使突起结构和电路元件的电极的连接可靠性提高。准备在表面具有电极和保护膜的半导体基板形成为矩阵状的半导体晶片。接下来，在半导体晶片(半导体基板)的表面，在半导体基板、和一体地形成突起部并且在其附近具有沟槽部的铜板之间夹持绝缘层。在进行这样的夹持之后，通过用加压装置进行加压成形将半导体基板、绝缘层和铜板一体化。由此突起部贯通绝缘层，突起部和电极被电连接。与此同时，被突起部挤出的多余的绝缘层流到沟槽部内。

公开(公告)号：CN100385621C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510009364.7

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，谋求可靠性的提高。在形成有焊盘电极53的硅晶片(51)的表面粘接玻璃衬底(56)。其次，形成从硅晶片(51)的背面到达焊盘电极(53)的通孔(81)，同时，形成沿切割线中心DS延伸，且从硅晶片(51)的背面贯通硅晶片(51)的槽(82)。然后，利用含有伴随加热处理的工序的各种工序在硅晶片(51)的背面形成缓冲层(60)、配线层(63)、焊接掩模(65)、焊球(66)。最后，将支承在玻璃衬底(56)上的硅晶片(51)切割成各个硅片(51A)。

公开(公告)号：CN1292469C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02126473.2

申请日：2002-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山下富生 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括：在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。

公开(公告)号：CN1658368A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009363.2

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种抑制生产性极其低下和开口形状恶化的蚀刻方法，其具有如下工序：在半导体衬底(1)的表面粘接支承板(5)，覆盖介由氧化硅膜(2)形成在上述半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；形成通孔(9)，从上述半导体衬底(1)的背面到达上述焊盘电极(3)的表面。该蚀刻方法还具有如下工序：使用至少含有SF6和O2的蚀刻气体对上述半导体衬底(1)形成第一开口(7)直到上述氧化硅膜(2)不露出的位置；使用至少含有C4F8和SF6的蚀刻气体对上述半导体衬底(1)形成第二开口(8)直到上述氧化硅膜(2)露出的位置。

公开(公告)号：CN1088257C

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN97117580.2

申请日：1997-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上恭典 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31155 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其绝缘膜的抛光率有所改进，且能产生较少的缺陷。在这种制造方法中，将杂质引进第一绝缘膜，然后通过抛光第一绝缘膜表面而进行平面化。因此，在引进了杂质的第一绝缘膜的部分其抛光率改进了，而且在其中也不易产生缺陷。(图4)

公开(公告)号：CN1175789A

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN97117580.2

申请日：1997-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上恭典 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31155 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,其绝缘膜的抛光率有所改进,且能产生较少的缺陷。在这种制造方法中,将杂质引进第一绝缘膜,然后通过抛光第一绝缘膜表面而进行平面化。因此,在引进了杂质的第一绝缘膜的部分其抛光率改进了,而且在其中也不易产生缺陷。

公开(公告)号：CN101494213A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810191061.5

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  冈山芳央 ,  高野洋 ,  中里真弓

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。元件安装用基板具有：绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的多个突起电极；在绝缘树脂层的另一主表面S2的、与多个突起电极分别对应的位置设置的对置电极。突起电极中的一部分突起电极的突出长度比其他突起电极的突出长度短，突起电极和与其对应的对置电极电容耦合，突起电极和与其对应的对置电极电连接。

公开(公告)号：CN101312169A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142810.5

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔，在电极上形成绝缘层，并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此，绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面，布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此，与突起区域中的再布线图案相比，布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。

公开(公告)号：CN101197338A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710305159.4

申请日：2007-10-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，其提高半导体模块在电极部的连接可靠性。首先，准备在表面具有电极及保护膜的半导体基板以矩阵状形成的半导体晶片。其次，在半导体晶片(半导体基板)的表面，在半导体基板和在前端部一体形成有含有塑性区域的突起部的铜板(金属板)之间夹持绝缘层。然后，在这样夹持的状态下，使用压力装置进行加压成型，使半导体基板、绝缘层及铜板一体化。由此，突起部贯通绝缘层的同时，前端部的塑性区域在与电极的接触面处发生塑性变形，使突起部和电极电连接。