公开(公告)号：CN1292469C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02126473.2

申请日：2002-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山下富生 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括：在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。

公开(公告)号：CN101546781A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127749.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤田和范 ,  山下富生 ,  米田阳树 ,  笹田一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明的半导体装置，具有：外延层；包括在外延层上形成的沟道区域的本体层；以与本体层重叠的方式形成的源极层；包围源极层，而在外延层上形成的环状的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极；包围本体层，而在外延层上以环状形成的漂移层；和与源极层对置，而在外延层表面形成的漏极层。本体层以在栅极宽度方向端部，其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式进行设置。另外，栅极绝缘膜在与栅极宽度方向端部的本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。

公开(公告)号：CN101546781B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910127749.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤田和范 ,  山下富生 ,  米田阳树 ,  笹田一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明的半导体装置，具有：外延层；包括在外延层上形成的沟道区域的本体层；以与本体层重叠的方式形成的源极层；包围源极层，而在外延层上形成的环状的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极；包围本体层，而在外延层上以环状形成的漂移层；和与源极层对置，而在外延层表面形成的漏极层。本体层以在栅极宽度方向端部，其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式进行设置。另外，栅极绝缘膜在与栅极宽度方向端部的本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。

公开(公告)号：CN1399325A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02126473.2

申请日：2002-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山下富生 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括：在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。