公开(公告)号：CN101604632B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200910140668.5

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  小田岛庆汰 ,  冈田喜久雄 ,  龟山工次郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。

公开(公告)号：CN101632155B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880008259.3

申请日：2008-03-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在磨削晶圆而形成薄膜的半导体装置的情况下，需要分离成各芯片并对芯片的背面另外分别进行加工。在本发明中，在对晶圆(2a)的表面进行半切割而形成槽部(4)的状态下，通过粘合层(6)将具有刚性的支承体(5)与晶圆(2a)的表面粘贴。另外，在磨削晶圆(2a)的背面并单片化成各芯片(2b)以后，不将芯片(2b)从支承体(5)分离，进行伴随着形成背面电极(9a)等的热处理的背面加工。

公开(公告)号：CN100440499C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410061938.0

申请日：2004-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  三田清志

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09154 ,  H05K2201/10772 ,  H05K2201/10931 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。

公开(公告)号：CN100428456C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510118100.5

申请日：2005-10-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  梅本光雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次，在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14，进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次，蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次，介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN101060133A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710088556.0

申请日：2007-03-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 柳田正道 ,  龟山工次郎 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型MOS晶体管或IGBT等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热处理只能薄膜化到半导体基板不弯曲的范围，接通电阻的减小有限。在本发明中，在半导体基板(1)的背面侧形成沟孔等的开口部(11)。然后，与该开口部(11)的底部电连接而形成漏极(12)。在这种情况下，由于电流路径对应于开口部(11)的深度而变短，故容易实现低的接通电阻。

公开(公告)号：CN1572917A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410032007.8

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D21/18

CPC classification number: C25D3/60 ,  C22B7/006 ,  C22B25/04 ,  C23C2/00 ,  C23C18/1617 ,  C25D21/18 ,  Y02P10/234

Abstract: 在现有的电镀处理中，采用新电镀液进行电镀处理时，由于以前使用的电镀液要作为工业废物加以废弃处理，所以，产生环境负荷、废弃成本、新液购入成本等庞大支出的问题。本发明使旧电镀液变成新电镀液加以再利用成为可能，为了实现这个目的，例如，采用下列工序：Sn－Bi合金电镀液的准备工序(S1)；除去配位剂的活性炭处理工序(S2)；Bi的除去工序(S3)；沉降处理工序(S4)；Sn电镀液的分析补充工序(S5)。然后，通过电镀液的再利用，消除电镀液的废物处理，环境负荷、废弃成本、新液的购入成本得到抑制。另外，在液组成的管理中，通过有效地利用原来的数据，可容易地实现管理作业。

公开(公告)号：CN1333389A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01112161.0

申请日：2001-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L2924/01005 ,  H01L2924/01078

Abstract: 要求用1条传送轨道连续地形成多种组合的电镀膜。为响应这个要求而提供一种简便的焊料电镀装置。本电镀装置在传送轨道下设有多个电镀浴槽,该电镀浴槽设有电镀液贮存浴槽。而且,通过用电镀浴槽与电镀液贮存浴槽来转移电镀液,可以选择形成于导电构件21上的电镀膜。因此,可以用1条传送轨道连续地在导电构件21上形成多种组合的电镀膜。

公开(公告)号：CN101114592B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710138312.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0494

Abstract: 本发明提供一种生产效率高且可靠性和合格品率高的半导体装置及其制造方法。进行半导体衬底(1)的背面磨削(背研磨)，把半导体装置减薄。然后在该阶段不进行把由背面磨削产生的损伤层(7)除去而有选择地在半导体衬底的背面形成抗蚀剂层(8)。然后，以抗蚀剂层(8)作为掩模蚀刻半导体衬底(1)，形成通路孔(9)。然后保持将半导体衬底(1)配置在该蚀刻工序所利用的蚀刻装置内的状态，把形成通路孔(9)和除去抗蚀剂层(8)连续进行。这样，把蚀刻工序和其后的灰化工序以一个处理装置连续进行。然后，把半导体衬底(1)背面的损伤层(7)除去和把通路孔(9)内壁面平坦化的工序也以与上述灰化工序同一装置连续进行。

公开(公告)号：CN1992151B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200610064213.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在使用支承体的半导体装置的制造方法中，不使制造工序复杂化，而谋求提高可靠性和成品率。以抗蚀剂层或保护层(20)作为掩模顺序蚀刻除去第二绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第一绝缘膜(2)和钝化膜(4)。通过该蚀刻粘接层(5)在该开口部(21)内一部分露出。在此时多个半导体装置分割成各个半导体芯片。接着，如图10所示，通过开口部(21)对露出的粘接层(5)供给溶解剂(25)(例如酒精或丙酮)，通过使粘接力逐渐降低，从半导体基板(1)剥离除去支承体(6)。

公开(公告)号：CN101667590A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910168197.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  土屋尚文 ,  龟山工次郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7322

Abstract: 一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及迭层于其上层的各层所构成的迭层体，沿着切割线进行切割。