Invention Grant
CN100440499C 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and its manufacturing method
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Application No.: CN200410061938.0Application Date: 2004-06-29
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Publication No.: CN100440499CPublication Date: 2008-12-03
- Inventor: 龟山工次郎 , 三田清志
- Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司
- Current Assignee: 三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 马莹; 黄小临
- Priority: 197860/03 2003.07.16 JP
- Main IPC: H01L23/50
- IPC: H01L23/50 ; H01L23/48 ; H01L21/50
Abstract:
一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
Public/Granted literature
- CN1577827A 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2005-02-09
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IPC分类:
