公开(公告)号：CN1445784A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。

公开(公告)号：CN101183827B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200710167693.3

申请日：2007-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073

Abstract: 为实现具有升压电路的电路装置的小型化，本发明提供一种电路装置，包括：以规定的输入电压启动、且将输入电压变换成比输入电压高的第1升压电压的第1升压电路；与第1升压电路连接、充电第1升压电压的电容器；通过第1开关元件与电容器连接、以电容器的蓄电电压启动、且将输入电压变换成比第1升压电压高的第2升压电压的第2升压电路；和与第2升压电路的输出端子和电容器连接的第2开关元件，第1开关元件是如下所述的开关，为了启动第2升压电路而接通，并向第2升压电路提供电容器的蓄电电压，在启动后断开而停止提供；第2开关元件是在第2升压电路的启动后接通、并向电容器提供第2升压电压的开关。

公开(公告)号：CN100419909C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。

公开(公告)号：CN102307012A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110239095.9

申请日：2007-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073

Abstract: 为实现具有升压电路的电路装置的小型化，本发明提供一种电路装置，包括：以规定的输入电压启动、且将输入电压变换成比输入电压高的第1升压电压的第1升压电路；与第1升压电路连接、充电第1升压电压的电容器；通过第1开关元件与电容器连接、以电容器的蓄电电压启动、且将输入电压变换成比第1升压电压高的第2升压电压的第2升压电路；和与第2升压电路的输出端子和电容器连接的第2开关元件，第1开关元件是如下所述的开关，为了启动第2升压电路而接通，并向第2升压电路提供电容器的蓄电电压，在启动后断开而停止提供；第2开关元件是在第2升压电路的启动后接通、并向电容器提供第2升压电压的开关。

公开(公告)号：CN100426417C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN02814416.3

申请日：2002-07-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/41 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G11C11/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/228 ,  H01L27/24

Abstract: 提供一种含有能够达到更为小型化(薄型化)和高速化的不同种类的存储器的半导体存储装置。这种半导体存储装置具有：包含位线、与位线交叉配置的字线、配置在位线与字线间的存储元件(43)的第一存储器；与第一存储器种类不同的第二存储器(13)。而且，第一存储器和第二存储器在半导体基板(31)上形成。这样，若第一存储器和第二存储器层叠形成于半导体基板(31)上，则高度方向的厚度上会变小，从而能实现更好的小型化(薄型化)。再有，第一存储器和第二存储器的连接无需使用寄生电容较大的导线和焊料等，因此，能够实现第一存储器和第二存储器间高速的数据传递。

公开(公告)号：CN101494213A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810191061.5

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  冈山芳央 ,  高野洋 ,  中里真弓

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。元件安装用基板具有：绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的多个突起电极；在绝缘树脂层的另一主表面S2的、与多个突起电极分别对应的位置设置的对置电极。突起电极中的一部分突起电极的突出长度比其他突起电极的突出长度短，突起电极和与其对应的对置电极电容耦合，突起电极和与其对应的对置电极电连接。

公开(公告)号：CN101183827A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710167693.3

申请日：2007-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/073

Abstract: 为实现具有升压电路的电路装置的小型化，本发明提供一种电路装置，包括：以规定的输入电压启动、且将输入电压变换成比输入电压高的第1升压电压的第1升压电路；与第1升压电路连接、充电第1升压电压的电容器；通过第1开关元件与电容器连接、以电容器的蓄电电压启动、且将输入电压变换成比第1升压电压高的第2升压电压的第2升压电路；和与第2升压电路的输出端子和电容器连接的第2开关元件，第1开关元件是如下所述的开关，为了启动第2升压电路而接通，并向第2升压电路提供电容器的蓄电电压，在启动后断开而停止提供；第2开关元件是在第2升压电路的启动后接通、并向电容器提供第2升压电压的开关。

公开(公告)号：CN1533574A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02814416.3

申请日：2002-07-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/41 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G11C11/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/228 ,  H01L27/24

Abstract: 提供一种含有能够达到更为小型化(薄型化)和高速化的不同种类的存储器的半导体存储装置。这种半导体存储装置具有：包含位线、与位线交叉配置的字线、配置在位线与字线间的存储元件(43)的第一存储器；与第一存储器种类不同的第二存储器(13)。而且，第一存储器和第二存储器在半导体基板(31)上形成。这样，若第一存储器和第二存储器层叠形成于半导体基板(31)上，则高度方向的厚度上会变小，从而能实现更好的小型化(薄型化)。再有，第一存储器和第二存储器的连接无需使用寄生电容较大的导线和焊料等，因此，能够实现第一存储器和第二存储器间高速的数据传递。

公开(公告)号：CN1527321A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007945.2

申请日：2004-03-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 境直史 ,  高野洋

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/02 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明提供可抑制干扰现象的存储器。该存储器包括：位线；字线，与位线交叉配置；以及连接在位线和字线之间的第一存储部件；其中，通过读取动作和再写入动作，至少在非选择字线上连接的所有第一存储部件上，将彼此相反方向的规定电压实质上施加相同的次数或实质上不施加电压。

公开(公告)号：CN102648576A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080038533.9

申请日：2010-08-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高野洋 ,  山本哲也

IPC: H02M7/483

CPC classification number: H02M7/483 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/675 ,  Y10T307/696 ,  Y10T307/858

Abstract: 本发明能够提高逆变器的电力转换效率。逆变器(20)将来自电压分别不同的多个直流电源(V1、V2)的直流电力转换为交流电力。逆变器(200)包括控制部(20)。控制部(20)使用来自第一直流电源(V1)的电源电压(E1)、来自第二直流电源(V2)的电源电压(E2)、以及两个电源电压的电位差(E1-E2)，产生模拟正弦波。控制部(20)通过控制对多个直流电源(V1、V2)分别设置的H桥电路，从而生成模拟正弦波。