公开(公告)号：CN104779215B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510018605.8

申请日：2015-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  权赫万 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种堆叠式半导体封装件，该堆叠式半导体封装件由于堆叠在下芯片上的上半导体芯片的特征而使得对下半导体芯片的设计限制最小化。该堆叠式半导体封装件包括：下芯片，其具有设置有多个穿通电极的穿通电极区域；以及至少一个上芯片，其堆叠在下芯片上并且具有设置有对应于多个穿通电极的多个接合焊盘的焊盘区域。所述焊盘区域沿着将上芯片的有源表面二等分的中心轴线设置。设置上芯片的焊盘区域的中心轴线布置在从下芯片的有源表面在纵向上的中心轴线移位的位置。

公开(公告)号：CN108807333A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810258640.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  李稀裼 ,  申宅均 ,  赵汊济

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。

公开(公告)号：CN108206172A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711344807.7

申请日：2017-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 表声磤 ,  沈钟辅 ,  金知晃 ,  赵汊济 ,  韩相旭

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体封装包括：第一衬底，包括第一上部接垫，所述第一上部接垫位于所述第一衬底的顶表面上；第二衬底，包括第二上部接垫，所述第二上部接垫位于所述第二衬底的顶表面上，所述第二上部接垫的节距小于所述第一上部接垫的节距；以及第一半导体芯片，位于以下两者上并电连接到以下两者：(i)所述第一上部接垫中的至少一个以及(ii)所述第二上部接垫中的至少一个。本发明概念的一些示例性实施例可为半导体封装提供高可靠性。

公开(公告)号：CN108091661A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201710614432.5

申请日：2017-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知晃 ,  沈钟辅 ,  韩相旭 ,  赵汊济 ,  李元一

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14601 ,  H01L25/072

Abstract: 一种图像传感器封装以及封装。图像传感器封装包括：图像传感器芯片，位在封装衬底上；逻辑芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片垂直地重叠；以及存储器芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片及逻辑芯片垂直地重叠。所述逻辑芯片处理从所述图像传感器芯片输出的像素信号。所述存储器芯片经由导电线电连接到所述图像传感器芯片，并存储从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号与由所述逻辑芯片处理的像素信号中的至少一个。所述存储器芯片经由所述导电线接收从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号并经由所述图像传感器芯片与所述导电线接收由所述逻辑芯片处理的所述像素信号。

公开(公告)号：CN104241229B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN118824982A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410042553.7

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱贤 ,  赵汊济

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括第一结构和第二结构。第一结构包括：第一半导体衬底，具有有源表面和与该有源表面相对的非有源表面，其中第一半导体器件被配置为设置在该有源表面上；第一通孔，竖直地穿透第一半导体衬底，并且从第一半导体衬底的非有源表面突出；第一保护层，覆盖第一半导体衬底的非有源表面，并且掩埋第一通孔；以及第一焊盘，穿透第一保护层的至少一部分，并且耦接到第一通孔。第二结构包括第二焊盘，第一结构和第二结构彼此接合，并且第一焊盘和第二焊盘彼此接触。

公开(公告)号：CN117594552A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310974718.X

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永善 ,  金道玄 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  徐善京 ,  赵汊济

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、第一接合绝缘层、与第一接合焊盘接触的第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。

公开(公告)号：CN108735770B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201810310753.0

申请日：2018-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  赵汊济 ,  韩相旭 ,  赵京淳 ,  金载春 ,  朴佑炫

IPC: H01L27/148 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。

公开(公告)号：CN108091661B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201710614432.5

申请日：2017-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知晃 ,  沈钟辅 ,  韩相旭 ,  赵汊济 ,  李元一

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/07

Abstract: 一种图像传感器封装以及封装。图像传感器封装包括：图像传感器芯片，位在封装衬底上；逻辑芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片垂直地重叠；以及存储器芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片及逻辑芯片垂直地重叠。所述逻辑芯片处理从所述图像传感器芯片输出的像素信号。所述存储器芯片经由导电线电连接到所述图像传感器芯片，并存储从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号与由所述逻辑芯片处理的像素信号中的至少一个。所述存储器芯片经由所述导电线接收从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号并经由所述图像传感器芯片与所述导电线接收由所述逻辑芯片处理的所述像素信号。

公开(公告)号：CN108807333B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810258640.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  李稀裼 ,  申宅均 ,  赵汊济

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。