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公开(公告)号：CN117594552A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310974718.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、第一接合绝缘层、与第一接合焊盘接触的第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。
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