公开(公告)号：CN117352492A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310808184.3

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱贤 ,  金一焕 ,  徐善京 ,  赵汊济

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一焊盘；第二半导体芯片，在第一半导体芯片下方，第二半导体芯片包括具有前表面和相对的后表面的衬底、在前表面上并与第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到第二焊盘并包括从衬底的后表面突出的突出部的贯通电极；通孔结构，设置在第二半导体芯片周围并与第一焊盘接触；第一介电层，沿衬底的后表面和贯通电极的突出部的侧表面延伸；第二介电层，在第一介电层下方并在贯通电极的突出部之间以及通孔结构之间的空间中；以及凸块结构，在第二介电层下方并电连接到贯通电极和通孔结构。

公开(公告)号：CN118824982A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410042553.7

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱贤 ,  赵汊济

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括第一结构和第二结构。第一结构包括：第一半导体衬底，具有有源表面和与该有源表面相对的非有源表面，其中第一半导体器件被配置为设置在该有源表面上；第一通孔，竖直地穿透第一半导体衬底，并且从第一半导体衬底的非有源表面突出；第一保护层，覆盖第一半导体衬底的非有源表面，并且掩埋第一通孔；以及第一焊盘，穿透第一保护层的至少一部分，并且耦接到第一通孔。第二结构包括第二焊盘，第一结构和第二结构彼此接合，并且第一焊盘和第二焊盘彼此接触。

公开(公告)号：CN118538707A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311385735.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐善京 ,  金导玄 ,  金永善 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  河政旿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60

Abstract: 根据实施例的半导体结构可以包括：互连结构，在基板上；层间介电层，在互连结构上；第一导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电耦接；第二导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电解耦；第一过孔插塞，在层间介电层内；以及接合结构，在层间介电层上并包括第一接合焊盘、多个第二接合焊盘、以及接合介电层，其中，第一接合焊盘电耦接到第一过孔插塞，多个第二接合焊盘中的一些第二接合焊盘在竖直方向上与第一导电焊盘间隔开，并且多个第二接合焊盘中的其他第二接合焊盘在竖直方向上与第二导电焊盘间隔开。

公开(公告)号：CN117594552A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310974718.X

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永善 ,  金道玄 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  徐善京 ,  赵汊济

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、第一接合绝缘层、与第一接合焊盘接触的第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。

公开(公告)号：CN119695039A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410532426.5

申请日：2024-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金导玄 ,  金永善 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  徐善京 ,  李学宣

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体封装可以包括第一介电结构、在该第一介电结构中的第一焊盘、设置在该第一介电结构上的第一半导体芯片、以及电连接到该第一焊盘的凸块。第一半导体芯片包括：第一衬底；第一芯片介电层，与第一介电结构接触；以及第一芯片焊盘，与第一焊盘的顶表面接触。第一焊盘可以设置在凸块与第一半导体芯片的第一芯片焊盘之间。第一焊盘可以包括第一导电层和被第一导电层覆盖的第二导电层。凸块可以被定位为相比于距第二导电层的距离更靠近第一导电层。

公开(公告)号：CN117810188A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311089626.X

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱贤 ,  金永善 ,  徐善京 ,  赵㲼济

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482

Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半导体芯片包括：第一基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一基板的下表面上；以及第一焊盘，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层被暴露。所述第二半导体芯片包括：第二基板；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二基板的上表面上并且接触所述第一绝缘层；以及第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第二绝缘层被暴露并且接触所述第一焊盘。所述第一焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第一基板增加的第一宽度，并且所述第二焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第二基板增加的第二宽度。

公开(公告)号：CN115985890A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211245874.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱贤 ,  金孝恩 ,  徐善京

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/482

Abstract: 一种半导体封装可以包括再分布基板、在再分布基板上的第一半导体芯片以及在再分布基板和第一半导体芯片之间的第二半导体芯片。第二半导体芯片可以在第一方向上具有比第一半导体芯片在第一方向上的宽度小的宽度。第一半导体芯片可以包括在其底表面上的第一对准标记图案。第二半导体芯片可以与第一对准标记图案间隔开。第二半导体芯片可以包括在第一半导体芯片的底表面上的第二互连层、在第二互连层的底表面上并暴露第二互连层的边缘区域的底表面的第二半导体基板、以及在第二互连层的边缘区域上的第二对准标记图案。

公开(公告)号：CN119947124A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411220721.3

申请日：2024-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学宣 ,  金导玄 ,  金永善 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  徐善京 ,  赵汊济

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底；衬底上的多个上焊盘，该多个上焊盘包括第一组上焊盘和第二组上焊盘；缓冲层，覆盖第一组上焊盘的侧表面；以及绝缘层，在衬底上围绕第二组上焊盘的侧表面和缓冲层的侧表面，其中，缓冲层包括第一材料，该第一材料的第一杨氏模量小于多个上焊盘中的第二材料的第二杨氏模量。