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公开(公告)号:CN118053859A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202311455664.2
申请日:2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/538 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括:衬底;第一芯片结构,其位于衬底上且在第一方向上具有第一厚度;第二芯片结构,其沿与第一方向垂直的第二方向与第一芯片结构相邻地位于衬底上,并且沿第一方向具有第二厚度;第三芯片结构,其位于衬底上并且在与第二方向垂直的第三方向上与第一芯片结构和第二芯片结构相邻;和封装剂,其覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第三芯片结构,其中,第三芯片结构包括下芯片结构和上芯片结构,该下芯片结构在第三方向上交叠于第一芯片结构与第二芯片结构之间的空间的第一部分,该上芯片结构位于下芯片结构上,使得所述空间的第二部分在第三方向上暴露。
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公开(公告)号:CN117810188A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202311089626.X
申请日:2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半导体芯片包括:第一基板;第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一基板的下表面上;以及第一焊盘,所述第一焊盘通过所述第一绝缘层被暴露。所述第二半导体芯片包括:第二基板;第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第二基板的上表面上并且接触所述第一绝缘层;以及第二焊盘,所述第二焊盘通过所述第二绝缘层被暴露并且接触所述第一焊盘。所述第一焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第一基板增加的第一宽度,并且所述第二焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第二基板增加的第二宽度。
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