公开(公告)号：CN102420208A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110302758.7

申请日：2011-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河政旿 ,  权兴奎 ,  崔允硕 ,  李钟源

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：第一基底，第一半导体芯片安装在第一基底上；第二基底，与第一基底隔开，第二半导体芯片安装在第二基底上；多个第一焊盘，设置在第一基底上；多个第二焊盘，设置在第二基底上以与第一焊盘相对；连接图案，分别将相对的第一焊盘和第二焊盘彼此电连接。所述多个第一焊盘相对于第一基底的中心轴不对称地设置。

公开(公告)号：CN118538707A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311385735.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐善京 ,  金导玄 ,  金永善 ,  金柱贤 ,  金孝恩 ,  河政旿

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60

Abstract: 根据实施例的半导体结构可以包括：互连结构，在基板上；层间介电层，在互连结构上；第一导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电耦接；第二导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电解耦；第一过孔插塞，在层间介电层内；以及接合结构，在层间介电层上并包括第一接合焊盘、多个第二接合焊盘、以及接合介电层，其中，第一接合焊盘电耦接到第一过孔插塞，多个第二接合焊盘中的一些第二接合焊盘在竖直方向上与第一导电焊盘间隔开，并且多个第二接合焊盘中的其他第二接合焊盘在竖直方向上与第二导电焊盘间隔开。