公开(公告)号：CN111872851A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911316149.X

申请日：2019-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩昇澈 ,  李龙熙 ,  严泰民 ,  权炳昊 ,  李根泽

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/10

Abstract: 提供了一种化学机械抛光(CMP)装置的修整器和一种包括该修整器的CMP装置。所述修整器包括：盘，所述盘用于对所述CMP装置的抛光垫进行修整；驱动器，所述驱动器用于使所述盘旋转；升降器，所述升降器用于升降所述驱动器；臂，所述臂用于使所述升降器旋转；以及连接器，所述连接器用于将所述驱动器连接到所述升降器，所述驱动器相对于所述升降器是可倾斜的。

公开(公告)号：CN111834249A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111190331A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910722297.5

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李根泽 ,  赵庸真 ,  高次元 ,  朴晟见 ,  李晓山 ,  车知勋 ,  崔秀瑛

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。

公开(公告)号：CN109148327A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/007 ,  F26B3/00 ,  F26B5/005 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN109037094A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN102117698B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101676803A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810165661.4

申请日：2008-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世娟 ,  高容均 ,  李相美 ,  李阳求 ,  李宪定 ,  李根泽

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341

Abstract: 本发明涉及用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。在浸渍光刻系统中，多个涂覆有光刻胶膜的晶片可根据使用浸渍流体的浸渍光刻方法曝光。在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可聚集污染物。因此，在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可用根据示例性实施方式的清洁溶液清洗，以减少或防止在浸渍光刻系统中的缺陷。

公开(公告)号：CN118553640A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311372447.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 一种衬底处理装置，包括：处理容器，包括处理空间；衬底支撑件，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并被配置为在处理容器中支撑衬底；流体供应设备，被配置为通过容器供应管道向处理空间供应处于超临界状态的处理流体；以及喷头组件，被配置为将从流体供应设备供应的处理流体扩散到处理空间中。喷头组件包括：第一喷头，具有第一直径；以及第二喷头，布置在第一喷头和衬底之间并具有第二直径。处理容器在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上与喷头组件分开，使得在处理容器和喷头组件之间形成流路。

公开(公告)号：CN118366891A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410042038.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 提供一种衬底处理装置，包括：索引模块，包括容纳衬底的装载端口；第一传送模块和第二传送模块，用于装载和卸载衬底；以及处理模块，连接到索引模块并且包括处理衬底的多个工艺室，其中，多个工艺室中的一个工艺室包括被配置为将光照射到衬底的光刻胶图案的光处理室，第一传送模块在索引模块与处理模块之间传送衬底，第二传送模块在处理模块中的多个工艺室之间传送衬底，第一传送模块包括第一手部单元和第二手部单元，并且第二传送模块包括第三手部单元和第四手部单元。

公开(公告)号：CN118116829A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310909151.8

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 一种处理衬底的方法，包括：润湿衬底；将超临界流体供应到润湿后的衬底上以干燥衬底；以及清洗干燥后的衬底。清洗衬底包括：将清洗液供应到衬底的顶表面上；以及将清洗液供应到衬底的底表面上。