公开(公告)号：CN101334360A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810127748.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪显基 ,  李宰硕 ,  李阳求 ,  李宪定 ,  朴正大 ,  朴善喜

IPC: G01N21/31

CPC classification number: G01N21/77 ,  G01N31/22

Abstract: 本发明提供用于检测空气中的金属浓度的方法，包括混合溶液，其包含被溶剂溶解的金属，并且试剂与溶解在溶剂中的金属离子结合，并参考溶剂和试剂的混合物与溶液与试剂的混合物之间的吸收率的差异。还提供了一种用于执行在此描述的过程的装置。

公开(公告)号：CN101676803A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810165661.4

申请日：2008-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世娟 ,  高容均 ,  李相美 ,  李阳求 ,  李宪定 ,  李根泽

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341

Abstract: 本发明涉及用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。在浸渍光刻系统中，多个涂覆有光刻胶膜的晶片可根据使用浸渍流体的浸渍光刻方法曝光。在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可聚集污染物。因此，在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可用根据示例性实施方式的清洁溶液清洗，以减少或防止在浸渍光刻系统中的缺陷。

公开(公告)号：CN101236913A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710303593.9

申请日：2007-12-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  檀国大学校产学协力团

Inventor： 李宰硕 ,  任兴彬 ,  柳元景 ,  蔡胜基 ,  李阳求 ,  李宪定

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/94

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01N21/718 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种用于分析晶片上污染物的设备和方法。该设备包括：晶片夹具，用于支撑在其上布置有待分析的污染物的晶片；激光切割器件，用于向晶片辐射激光以从晶片提取分离的样本；分析盒，用于收集通过辐射所述激光从晶片的表面分离的样本；以及与分析盒连接的分析器件，用于从收集的分离样本分析污染物。