公开(公告)号：CN101676803A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810165661.4

申请日：2008-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世娟 ,  高容均 ,  李相美 ,  李阳求 ,  李宪定 ,  李根泽

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341

Abstract: 本发明涉及用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。在浸渍光刻系统中，多个涂覆有光刻胶膜的晶片可根据使用浸渍流体的浸渍光刻方法曝光。在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可聚集污染物。因此，在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可用根据示例性实施方式的清洁溶液清洗，以减少或防止在浸渍光刻系统中的缺陷。

公开(公告)号：CN109021833A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810596550.2

申请日：2018-06-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴承浩 ,  孔铉九 ,  金正训 ,  李相美 ,  李愚仁 ,  全喜淑 ,  金相均 ,  崔浩 ,  朴钟爀 ,  尹一永

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括：包含金属氧化物的抛光颗粒；包含过氧化氢的氧化剂；以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂，其中以100重量％的所述用于抛光金属层的浆料组合物计，氧化剂的含量是0.01重量％到0.09重量％。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。