公开(公告)号：CN100416842C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。扩散阻挡层由不透明材料形成，并位于隔离区和多个晶体管上方以定义光线通路。

公开(公告)号：CN100350604C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。

公开(公告)号：CN1518119A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。如果将光电二极管上方的阻挡金属层去除，则图像传感器件可采用铜互连线。

公开(公告)号：CN1516276A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。

公开(公告)号：CN1495879A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。

公开(公告)号：CN118053876A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310806747.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  南润锡 ,  金珍圭 ,  刘素罗 ,  李城门 ,  车承珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，在基底上彼此相邻；第一源极/漏极图案，分别在第一有源图案上并且彼此相邻；第一分隔结构和第二分隔结构，与第一有源图案交叉并且布置在基底上，使得第一源极/漏极图案中的相邻第一源极/漏极图案置于第一分隔结构与第二分隔结构之间；第一贯穿过孔，在所述相邻第一源极/漏极图案之间；第一电力线，在第一贯穿过孔上并且电连接到第一贯穿过孔；电力输送网络层，在基底的底表面上；以及第一下贯穿过孔，在电力输送网络层与第一贯穿过孔之间。

公开(公告)号：CN117878121A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311298316.9

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金泛镇 ,  金荣佑 ,  李东翼 ,  蔡命均

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括：基板，其包括第一表面和第二表面；第一源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第一源极/漏极触点，其设置在第一源极/漏极图案上并且连接到第一源极/漏极图案；第二源极/漏极触点，其设置在第二源极/漏极图案上并且连接到第二源极/漏极图案；后布线，其设置在基板的第二表面上；第一接触连接穿通件，其将后布线与第一源极/漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将后布线与第二源极/漏极触点连接并且与第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在第一接触连接穿通件和第二接触连接穿通件之间。

公开(公告)号：CN117199131A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310529488.6

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  金昊俊 ,  D·R·吴 ,  李城门 ,  赵学柱 ,  车承珉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。

公开(公告)号：CN116207071A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211483155.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  罗相喆 ,  朴基澈 ,  朴斗焕 ,  李敬雨 ,  金洛焕 ,  金润硕 ,  金镇南 ,  罗勋奏 ,  郑恩志 ,  丁柱荣

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。

公开(公告)号：CN115548015A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210610190.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  李敬雨 ,  金娜延 ,  林圣勋 ,  郑圣烨

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)；第一图案区，在所述第一ILD内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及第二图案区，在所述第一ILD内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。