公开(公告)号：CN100350604C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。

公开(公告)号：CN1516276A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。