公开(公告)号：CN100376026C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。该方法包括：在衬底上形成介电常数为3.3或更小的混合介电层；在介电层中形成通孔；用无碳无机填料填充通孔；部分蚀刻填充通孔的无机填料和介电层，形成沟槽，该沟槽连接通孔，并且将在该沟槽中形成互连；除去通孔中剩余的无机填料；以及通过用互连材料填充沟槽和通孔来完成互连，其中所述混合介电层由既有有机材料优点又有无机材料优点的混合电介质制成。

公开(公告)号：CN1976002A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610143580.5

申请日：2006-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 金在鹤 ,  朴玩哉 ,  林义雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供了一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括使用灰化工艺从低k材料中的凹形去除材料，而且在凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖凹形中的低k材料。

公开(公告)号：CN1495879A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。