公开(公告)号：CN103650155A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280015103.4

申请日：2012-02-17

申请人： 华盛顿大学商业中心

发明人： 休·希尔豪斯 ,  纪佑锡

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明的实施例概括来说包括使用于液体溶剂中包括元素I、II、IV和VI的来源的溶液形成具有标称I2-II-IV-VI4化学计量比的半导体膜(例如CZTS或CZTSSe)的方法。可在所述溶剂中混合前体以形成所述溶液。在一些实例中，可使用金属卤化物盐作为前体。可将所述溶液涂覆到衬底上并退火以获得所述半导体膜。在一些实例中，所述元素‘I’和‘IV’的所述来源可含有处于+2价氧化态的所述元素，而所述半导体膜可含有处于+1价氧化态的所述元素‘I’和处于+4价氧化态的所述元素‘IV’。实例可用于提供I2-(II,IV)-IV-VI4膜。

公开(公告)号：CN102804411A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080029262.0

申请日：2010-04-30

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 托马斯·J·米勒 ,  迈克尔·A·哈斯 ,  孙晓光

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/50 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L33/0087 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/502

摘要： 我们已经观察到在某些半导体衬底上生长的II-VI半导体器件的反常行为，并且已经确定该反常行为可能是来自衬底的铟原子在生长过程中迁移到II-VI层中的结果。铟可因而变成生长在衬底上的一个或多个II-VI层、特别是接近生长衬底的层中的非有意的掺杂剂，并且可以不利地影响器件性能。我们描述了多种有效地使在生长层中短距离内迁移的铟耗尽、或有效地基本防止铟自衬底迁移出来、或者以另外的方式基本分离II-VI功能层与迁移的铟从而维持良好的器件性能的半导体构造和技术。

公开(公告)号：CN102439097A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022392.1

申请日：2010-05-21

申请人： 纳幕尔杜邦公司

发明人： L·K·约翰森 ,  J·W·卡特伦 ,  D·R·拉杜

IPC分类号： C09D11/00 ,  C09D11/02 ,  C23C18/04 ,  H01L31/04 ,  H01L51/10 ,  C23C18/12 ,  C09D1/00 ,  C09D7/12

CPC分类号： H01L31/18 ,  B01J2/006 ,  B82Y30/00 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09D11/037 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0324

摘要： 本发明涉及墨组合物，所述组合物可用于在基板上制备CTS和CZTS以及它们硒类似物的薄膜。此类薄膜可用于制备光伏器件。

公开(公告)号：CN102163555A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110048467.X

申请日：2011-02-23

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： 萧满超 ,  杨柳 ,  雷新建 ,  I·布查南

IPC分类号： H01L21/368

CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明提供了制备多成分薄膜的方法。本发明描述了用于沉积多成分薄膜的方法和液基前体组合物。在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。

公开(公告)号：CN101887935A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206782.6

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L31/08 ,  C30B29/60

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。

公开(公告)号：CN101798057A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200910205893.2

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/335 ,  H01L21/77 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L29/88 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  H01S5/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L31/042 ,  H01L27/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。

公开(公告)号：CN101796648A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105133.8

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： 约书亚·M·斯珀津 ,  凯瑟琳·E·普拉斯 ,  内森·S·刘易斯 ,  H·A·阿特沃特

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： 通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。

公开(公告)号：CN1416591A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN01804753.X

申请日：2001-02-08

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 贾马尔·拉姆戴尼 ,  拉维德拉那斯·德鲁帕德 ,  莱蒂·L·希尔特 ,  库尔特·W·埃森伯萨

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01S5/0261 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/15 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/021 ,  H01L2924/00

摘要： 通过首先生长一个适应缓冲层(24)可以生长高质量的化合物半导体材料的外延层，覆盖晶格不匹配的基片，最好为硅基片。适应缓冲层是通过优选的氧化硅的无定形氧化物分界层(28)与基片(22)相分隔的单晶绝缘体(24)的层面。该无定形分界层消除应力，并且允许生长高质量的单晶绝缘体适应缓冲层(24)，其最好为例如碱土金属钛化物、锆化物等等这样的钙钛矿氧化物材料。

公开(公告)号：CN1398430A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01804799.8

申请日：2001-02-08

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 珈玛尔·拉丹尼 ,  拉文德兰斯·德鲁帕德 ,  林迪·L·西尔特 ,  科特·W·埃森贝瑟

IPC分类号： H01L21/8258 ,  H01S5/026 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/0261 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/15 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/021 ,  H01L2924/00

摘要： 通过首先在硅晶片(22)上生长调节缓冲层(24)，可以生长化合物半导体材料的高质量外延层，覆盖大硅晶片。调节缓冲层是由氧化硅无定形中间层(28)与硅晶片分开的单晶氧化物层。无定形中间层消除应变，并使得高质量单晶氧化物调节缓冲层能够生长。调节缓冲层与下伏硅晶片和上覆单晶化合物半导体层(26)均为晶格匹配。在调节缓冲层和下伏硅衬底之间的任何晶格失配由无定形界面层来处理。半导体器件可以在单晶化合物半导体层和硅中形成。半导体器件(56、68、78、92)可以在单晶化合物半导体层和硅中形成。

公开(公告)号：CN1038469A

公开(公告)日：1990-01-03

申请号：CN89100620.6

申请日：1989-02-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 金井正博 ,  村上勉 ,  新井孝至 ,  川上一郎

IPC分类号： C23C16/48

CPC分类号： C30B25/105 ,  C23C16/306 ,  C23C16/452 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/045 ,  Y10S148/064

摘要： 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价电子的元素的化合物(3)，这些化合物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。