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公开(公告)号：CN119189082A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411501271.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种立式晶棒截断机，包括支撑组件、夹持组件、切割组件，支撑组件包括支撑立板、支撑架，切割组件包括防崩边部、切割部，夹持组件位于支撑架、切割部的上方，支撑立板位于支撑架的上方，防崩边部位于支撑架内，切割部位于防崩边部的上方，夹持组件、防崩边部、切割部位于支撑立板的同一侧，夹持组件与支撑立板连接，支撑立板的底部与支撑架的顶部一端连接，防崩边部的底部与支撑架的底部连接，切割部与支撑架滑动连接，夹持组件与防崩边部同轴，晶棒被夹持组件竖直夹持，夹持组件竖直移动，使得晶棒的底部与防崩边部接触，晶棒与防崩边部相互施加反方向的力，使得被切割成晶锭或者硅片的部分受到支撑力，不会向下倾斜，表面平整。
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公开(公告)号：CN118929880A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411210303.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种废水PH调节装置及方法，属于废水处理技术领域，包括至少两块PH表、加药电磁阀、加药泵；所述至少两块PH表、控制系统、所述加药电磁阀、所述加药泵按控制原理图连接，所述控制系统根据所述至少两块PH表输出的开关量信号控制加药电磁阀和加药泵，向反应池内加药或停止加药；所述至少两块PH表的探头以预定间隔安装在反应池内。本发明通过多块PH表输出的开关量信号来控制加药泵，从而降低产生误差的机率，实现精准调节反应池内的PH值。
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公开(公告)号：CN118756322A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411028831.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明提供一种单晶炉用晶体旋转提拉装置，包括安装在单晶炉上端的基座、旋转机构、以及设置在旋转机构上的用于提拉籽晶的绕绳机构，所述旋转机构安装在基座上，并能够在基座上圆周旋转，所述旋转机构内设置有晶棒重量检测装置，晶棒重量检测装置位于绕绳机构的上方，与绕绳机构相齐平，所述绕绳机构上卷绕有用于提拉籽晶的籽晶绳，籽晶绳固定籽晶的一端向上绕过晶棒重量检测装置后向下穿过旋转机构、基座并自由下垂在单晶炉中，绕绳机构通过籽晶绳提拉籽晶在单晶炉中进行拉制晶棒过程中，晶棒的重量通过籽晶绳作用于晶棒重量检测装置上，通过晶棒重量检测装置检测籽晶绳的压力，以获取拉制过程中的晶棒重量，提高了对晶棒计重的精准度。
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公开(公告)号：CN118581562A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410652651.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，属于轻掺单晶硅制备方法的技术领域，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，使得拉晶过程中，一方面，掺杂剂的有效分凝系数无限接近其平均分凝系数，进而掺杂剂进入晶体的量增大，晶体头部的电阻会降低，进而得到的晶棒的头部电阻下降；另一方面，通过调整上述参数，使得边界层的厚度降低，固液界面的杂质浓度降低，杂质的富集量也降低，进而降低晶棒因杂质富产生位错造成断棱的概率；再一方面，本发明得到的晶棒的氧含量低于5ppma，符合用于IGBT衬底的晶圆的要求。
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公开(公告)号：CN118422319A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410660934.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高电阻率单晶材料的制备方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，包括以下步骤：步骤S1：制备至少一批高阻值母合金晶片；其中，每一个批母合金晶片中晶片的电阻率偏差均位于预设范围内，且各批母合金晶片的平均电阻率均不小于0.005Ω·cm；步骤S2：从制备出的各批母合金晶片中选择一批母合金晶片，并根据所选择的该批母合金晶片的平均电阻率计算拉制单晶材料所需的重量；步骤S3：按照计算出的母合金晶片的重量进行称取，并投入硅熔体中进行单晶材料拉制。本方案能够提高高电阻率单晶材料打靶电阻率的准确性，进而提高高电阻率单晶材料的成品率。
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公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN117966252A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137914.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺半导体单晶硅的掺杂装置及掺杂方法，涉及重掺单晶硅生产技术领域。包括掺杂钟罩，掺杂钟罩包括外层钟罩、中隔离层、内隔离层，其中，外层钟罩、中隔离层、内隔离层的高度依次降低；所述外层钟罩、所述中隔离层、所述内隔离层的底部位于同一水平面，且所述外层钟罩的底部与所述中隔离层的底部之间封闭，所述中隔离层的底部与所述内隔离层的底部之间封闭，所述内隔离层的底部呈开口结构，以使所述掺杂钟罩的底部形成空心圆形状。通过设置多层掺杂钟罩，增加气化的掺杂剂在掺杂钟罩内预储存的时间，延长掺杂时间，且气化的掺杂剂只能通过掺杂钟罩底部的一个出口慢慢流出，使得气化掺杂剂能够被硅液充分吸收，提高掺杂效率。
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公开(公告)号：CN117661102A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311682881.5
申请日：2023-12-08
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除 晶向重掺锑杂质管道缺陷的方法，涉及单晶硅重掺拉晶技术领域，在等径过程中，增大轴向温度梯度同时以恒定的高拉速进行拉晶，避免组分过冷引起固液界面形态不稳，进而避免杂质管道的生成。
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公开(公告)号：CN119392350A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502419.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种降低直拉单晶氧含量的系统及其方法，在化料后，单晶炉内的大部分气体通过进气件分布至气体收集腔内，气体收集腔内的气体能够通过排气件排出，通过石英排气系统，可以有效的控制单晶炉内的气体流出速度，从而控制Oi的挥发速率，增加真空泵排气能力，能够带走更多的挥发O元素，阻止O元素流入固液界面前沿，最终降低O含量，将单晶硅棒中的氧含量稳定的控制在低于5 ppma以下，且在控制O含量的同时，气体收集腔在收集气体的同时，能够通过气体流动，带走隔热组件上半部分表面吸收的辐射热和流体流经带来的热量，提供更优秀的温度场，从而控制晶棒中缺陷的形核与长大。
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公开(公告)号：CN119160507A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411353387.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种便于储存运送的晶锭盛放装置，包括盛放箱、以及设于盛放箱内的晶锭料盒；晶锭料盒包括盒体，盒体的顶部表面开设有两个轴线平行的弧形凹槽，弧形凹槽的两个端部设置有与弧形凹槽同心布设的弧形阻挡部，弧形凹槽的内部设有直径小于弧形凹槽且同心布设的弧形支撑部；弧形支撑部将弧形凹槽隔成多个放置槽；盒体的底部表面上开设有正对弧形凹槽的盛放孔。还提供了一种晶锭储存方法。本发明采用双面内衬的晶锭料盒，能够根据需要，针对长短不一的晶锭进行存储，以避免搬运中存在的崩边以及货物之间的撞击。
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