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公开(公告)号：CN119903657A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411986742.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种确认热场结构最优功率配比的方法，属于单晶硅制造技术领域。包括：S1、设置多组不同的主底加热器的功率配比，模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；S2、根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。本发明设置多组不同的主底加热器的功率配比，根据不同的功率配比，通过仿真软件模拟出坩埚的R角以及坩埚侧壁的温度；最后根据温度的范围以及整体热场的温度分布，确认最优功率配比范围。从而不需要对实际的坩埚进行加热，通过仿真软件模拟，根据模拟结果选择最优的功率配比范围，因此不会出现坩埚变形的情况出现，减少对热场使用寿命的影响。
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公开(公告)号：CN118461131B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410498681.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN119551836A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411517837.3
申请日：2024-10-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种碳化硅生产废水处理系统及其方法，分别对高浓度废水和低浓度废水预处理，且按照1 L:（1至15）L的体积比混合，调节pH为7至8，得到第一处理水；按照10:（1至5）的质量比向第一处理水中加入第一营养剂水解酸化，得到第二处理水，按照20:（1至2）的质量比向第二处理水中加入第二营养剂进行一级接触氧化，得到第三处理水，按照20:（1至2）的质量比向第三处理水中加入第三营养剂进行二级接触氧化，处理后的废水的COD小于等于150 mg/L，在处理过程中对添加的营养剂的量与废水的COD相对应，进行精确控制，能够节省营养剂，降低了污水处理的费用，且使用的系统更加简化的。
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公开(公告)号：CN119492251A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411655484.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于冷却塔清洗技术领域，具体涉及一种单晶炉冷却塔填料清洗装置及其方法，一级除垢装置中的干燥吹扫组件首先将冷却塔填料内部的潮湿污垢吹干，一级除垢装置中的振动组件将冷却塔填料内部干燥的大颗粒污垢震碎，干燥吹扫组件还将冷却塔填料内部震碎的大颗粒污垢吹出冷却塔填料内部；二级除垢装置中的药剂存储组件内存储有与所述顽固水垢反应的化学药剂，药剂喷洒组件与药剂存储组件连通，药剂喷洒组件用于将药剂存储组件内的化学药剂喷洒至冷却塔填料内，使得化学药剂与冷却塔填料内的水垢进行化学反应，从而去除冷却塔填料内的顽固水垢；本发明提供的装置和方法将冷却塔填料清理的更加干净的同时提高了效率。
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公开(公告)号：CN118929880A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411210303.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种废水PH调节装置及方法，属于废水处理技术领域，包括至少两块PH表、加药电磁阀、加药泵；所述至少两块PH表、控制系统、所述加药电磁阀、所述加药泵按控制原理图连接，所述控制系统根据所述至少两块PH表输出的开关量信号控制加药电磁阀和加药泵，向反应池内加药或停止加药；所述至少两块PH表的探头以预定间隔安装在反应池内。本发明通过多块PH表输出的开关量信号来控制加药泵，从而降低产生误差的机率，实现精准调节反应池内的PH值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118756322A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411028831.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明提供一种单晶炉用晶体旋转提拉装置，包括安装在单晶炉上端的基座、旋转机构、以及设置在旋转机构上的用于提拉籽晶的绕绳机构，所述旋转机构安装在基座上，并能够在基座上圆周旋转，所述旋转机构内设置有晶棒重量检测装置，晶棒重量检测装置位于绕绳机构的上方，与绕绳机构相齐平，所述绕绳机构上卷绕有用于提拉籽晶的籽晶绳，籽晶绳固定籽晶的一端向上绕过晶棒重量检测装置后向下穿过旋转机构、基座并自由下垂在单晶炉中，绕绳机构通过籽晶绳提拉籽晶在单晶炉中进行拉制晶棒过程中，晶棒的重量通过籽晶绳作用于晶棒重量检测装置上，通过晶棒重量检测装置检测籽晶绳的压力，以获取拉制过程中的晶棒重量，提高了对晶棒计重的精准度。
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公开(公告)号：CN118007229B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410347030.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中NG率显著降低。
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公开(公告)号：CN118464502A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410538425.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N1/08
Abstract: 该发明提供一种硅晶圆取样工装，包括钻孔取样装置及硅晶圆固定平台，硅晶圆固定平台包括承载硅晶圆的基座和固定硅晶圆的按压机构，基座平行设置在钻孔取样装置的正下方，按压机构为至少两组，围绕设置在基座上端的两侧或四周，每组按压机构的一端分别可转动的设置在基座上，另一端分别向基座的承载面方向平行伸出，并分别能够在基座的承载面上方自由平行转动，且能够向下按压，以对放置在基座承载面上的硅晶圆进行按压固定。该按压机构可根据硅晶圆的摆放位置转动按压方向，并能够对不同规格的直径及厚度的硅晶圆实施按压固定，以辅助钻孔取样装置进行钻孔取样，保证了硅晶圆在钻孔取样过程中的稳定性，提高了钻孔取样的安全性。
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公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN117966252A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137914.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺半导体单晶硅的掺杂装置及掺杂方法，涉及重掺单晶硅生产技术领域。包括掺杂钟罩，掺杂钟罩包括外层钟罩、中隔离层、内隔离层，其中，外层钟罩、中隔离层、内隔离层的高度依次降低；所述外层钟罩、所述中隔离层、所述内隔离层的底部位于同一水平面，且所述外层钟罩的底部与所述中隔离层的底部之间封闭，所述中隔离层的底部与所述内隔离层的底部之间封闭，所述内隔离层的底部呈开口结构，以使所述掺杂钟罩的底部形成空心圆形状。通过设置多层掺杂钟罩，增加气化的掺杂剂在掺杂钟罩内预储存的时间，延长掺杂时间，且气化的掺杂剂只能通过掺杂钟罩底部的一个出口慢慢流出，使得气化掺杂剂能够被硅液充分吸收，提高掺杂效率。
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