公开(公告)号：CN110672878A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910956339.1

申请日：2019-10-10

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郑宇 ,  方岚 ,  李苏苏 ,  明源

IPC: G01P21/00

Abstract: 本发明公开一种三轴高量程加速度传感器横向灵敏度比测试装置，包括沿X轴向设置的撞击体与霍普金森杆，霍普金森杆的尾部设置待测的传感器，传感器的X轴、Y轴与Z轴分别对应设置有X轴激光多普勒分析仪、Y轴激光多普勒分析仪与Z轴激光多普勒分析仪；所述测试装置还包括通讯连接的数据采集卡与工控机，三个激光多普勒分析仪的输出端分别连接数据采集卡；通过在三个方向上安装激光多普勒分析仪实现三个方向上同步的加速度测量，实现传感器的横向灵敏度比测试。

公开(公告)号：CN104988504A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510366191.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张伟 ,  姜淼 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  高博 ,  赵建强

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域中的一种P+/P-高选择比的硅膜腐蚀溶液，其特征在于使用MOS级氢氟酸溶液、硝酸溶液和冰乙酸溶液组成混合溶液，上述三种溶液溶质的量浓度分别为40%、70%和99%，混合溶液中氢氟酸溶液、硝酸溶液、冰乙酸溶液的体积比为x：1：y，其中x大于2.4、小于4；y大于4、小于10。与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过研究硅膜腐蚀的反应原理，找到了硅膜腐蚀化学反应中反应物的作用。这种混合溶液对P+的腐蚀速率远大于P-的腐蚀速率，最大腐蚀速率选择比达到350：1，满足P+/ P-自停止腐蚀的工艺要求。

公开(公告)号：CN102915974B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210425955.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  吕东锋 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  简崇玺

IPC: H01L21/8248

Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT管兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。

公开(公告)号：CN113777393A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111111313.0

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 谢玉巧 ,  郑宇 ,  李苏苏 ,  朱芳 ,  明源

IPC: G01R19/165

Abstract: 本发明涉及一种RS485接口通信欠幅检测电路，其特征在于，包括峰值采样保持电路、欠幅比较电路、欠幅保持电路、欠幅指示电路、释放电路；峰值采样保持电路的输入端与被测信号源相连、一个输出端与欠幅比较电路相连、另一个输出端与释放电路相连；欠幅比较电路一个输入端与测信号源相连、另一个输入端与峰值采样保持电路的输出端相连；欠幅保持电路的输入端与欠幅比较电路的输出端相连、一个输出端与欠幅指示电路连接、另一个输出端与与释放电路相连。本发明的有益效果是结构简单，能够快速、便捷地判断脉RS485接口通信电路的欠幅问题。

公开(公告)号：CN112387904A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011165205.7

申请日：2020-10-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 向圆 ,  李苏苏 ,  郑文昭 ,  明源 ,  郑宇 ,  欧阳径桥

IPC: B21F11/00 ,  B21F1/00

Abstract: 本发明提供一种单片器件切筋整形装置，它包括机架（1），在机架（1）上滑动配合的上模座（2），在上模座（2）上安装有切刀（3），在切刀（3）下方的机架（1）上设有与上模座（2）对应分布的下模座（4），在下模座（4）上设有放置槽（9），在放置槽（9）上设有与切刀（3）对应配合的台阶（5），在下模座（4）上还设有与单片器件封装（6）对应配合的气孔（7），在下模座（4）上设有与气孔（7）连通的气管接头孔（8）。本发明结构简单、使用方便，单独封装体切筋整形一体化操作，并避免切筋整形过程中出现的封装体损伤等问题。

公开(公告)号：CN110703065A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910793428.9

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 孙丽丽 ,  焦贵忠 ,  田波 ,  秦盼 ,  卜令旗 ,  李苏苏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种EMCCD动态老炼监控系统，包括老炼箱、单片机、电源板卡、驱动板卡、信号采集卡与上位机，老炼箱内设有用于放置EMCCD器件的老炼板卡，老炼板卡上方设有可调节光源；单片机输出接口分别连接驱动板卡与可调节光源，上位机通过单片机控制驱动板卡与可调节光源给放置于老炼板卡的EMCCD器件提供脉冲驱动信号和光信号，同时还向EMCCD器件提供动态成像向量信号、垂直转移信号与水平转移信号；EMCCD器件的输出变化信号通过老炼板卡传输给信号采集卡，信号采集卡将EMCCD器件的输出变化信号反馈给上位机，上位机对接收的信号进行成像显示与数据处理。

公开(公告)号：CN103531510A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310505350.9

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李苏苏 ,  丁继洪 ,  陈博 ,  姜楠 ,  吕东锋 ,  于航 ,  简崇玺 ,  张明浩 ,  陈计学 ,  郭群英

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/682

Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。