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公开(公告)号：CN103258787A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310052685.X
申请日：2013-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/02271 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2221/68372 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/13006 , H01L2224/13009 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。
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公开(公告)号：CN103247600A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310042094.4
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。
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公开(公告)号：CN101312172A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810098529.6
申请日：2008-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L25/105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 所提供的是一种具有增强的接点可靠性的半导体封装及其制作方法。该方法包括：形成包括封装单元，该封装单元包括插入在底层与顶层之间的半导体芯片；以及，在衬底上顺序堆叠所述封装单元。所述底层和所述顶层由具有比半导体芯片模量低的模量的材料形成。所述半导体封装包括：布置在衬底上的至少一个封装单元，所述封装单元包括：具有焊盘的半导体芯片、基本包围所述半导体芯片的底层和顶层、以及覆盖在所述顶层上的再分布结构。所述再分布结构电连接到所述焊盘。
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公开(公告)号：CN1728370A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087557.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多芯片封装用集成电路芯片的方法及所形成的晶片和芯片。该形成集成电路芯片的方法包括在其上具有多个接触焊盘的半导体晶片上形成多个十字形槽，以及使用电绝缘层填充十字形槽。将电绝缘层构图来在其中限定至少第一和第二通孔，所述第一和第二通孔延伸在十字形槽的第一个中。分别以第一和第二过芯片连接电极填充第一和第二通孔。随后，通过切穿十字形图案中的电绝缘层将半导体晶片划片为多个集成电路芯片，所述十字形图案中的电绝缘层与十字形槽的位置重叠。
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公开(公告)号：CN117650135A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310987011.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：重分布线结构，包括多个重分布线图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在重分布线结构上并且彼此间隔开；桥接结构，在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间，并且包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案；以及模制层，围绕桥接结构的侧壁并且填充在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，其中，多个连接布线图案的最下表面在多个重分布线图案的最上表面上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117457593A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310380946.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/3105 , H01L21/302 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件可以包括基板、安装在所述基板上的芯片结构和附接到所述芯片结构的第一虚设结构。所述芯片结构可以包括：第一半导体芯片；第二虚设结构，所述第二虚设结构设置在所述第一半导体芯片的一侧；以及模制层，所述模制层包围所述第一半导体芯片和所述第二虚设结构。所述第一半导体芯片的底表面、所述第二虚设结构的底表面和所述模制层的底表面可以彼此共面。
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公开(公告)号：CN117423675A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310876319.X
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、第一衬底上的多个第一焊盘、以及延伸穿过第一衬底并连接到多个第一焊盘的多个贯通电极；以及第一半导体芯片上的第二半导体芯片，第二半导体芯片包括第二衬底、以及在第二衬底下方并与多个第一焊盘接触的多个第二焊盘。多个第一焊盘包括：第一组第一焊盘，第一组第一焊盘中的每一个第一焊盘包括：第一基底层，包括第一凹陷；以及第一导电图案层和第一绝缘图案层，交替设置在第一凹陷中；以及第二组第一焊盘，第二组第一焊盘中的每一个第一焊盘包括：第二基底层，包括第二凹陷；以及第二导电图案层，设置在第二凹陷中。
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公开(公告)号：CN106549001B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201610675009.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行，所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。
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公开(公告)号：CN110970382A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910851493.2
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。
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公开(公告)号：CN103247600B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201310042094.4
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。
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