公开(公告)号：CN109976097A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811612414.4

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  白宗玟 ,  徐训硕 ,  李义福 ,  姜成进 ,  V.阮 ,  郑德泳 ,  安商熏 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004

Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN109904140A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN108074910A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711083442.7

申请日：2017-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5222

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。

公开(公告)号：CN101567382B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN109904140B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN107887362B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201710911772.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  刘禹炅 ,  张相信 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。

公开(公告)号：CN115458506A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210639401.6

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  郑德泳 ,  林俊赫

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在基板上的蚀刻停止膜；在蚀刻停止膜上的层间绝缘膜；第一沟槽和第二沟槽，在第一方向上间隔开并穿透蚀刻停止膜和层间绝缘膜，第一沟槽和第二沟槽具有暴露层间绝缘膜的侧壁；第一间隔物，覆盖由第一沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第一沟槽的侧壁的一部分；第二间隔物，覆盖由第二沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第二沟槽的侧壁的一部分；第一阻挡层，沿着第一间隔物的侧壁、第一沟槽的侧壁的未被第一间隔物覆盖的部分和第一沟槽的底表面延伸；填充第一沟槽的第一填充膜；第二阻挡层，沿着第二间隔物的侧壁、第二沟槽的侧壁的未被第二间隔物覆盖的部分和第二沟槽的底表面延伸；以及填充第二沟槽的第二填充膜。

公开(公告)号：CN113629037A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110120166.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  朴径范 ,  白宗玟 ,  李长镐 ,  刘禹炅 ,  郑德泳

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。

公开(公告)号：CN110828370A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN109390210A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810828662.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允姬 ,  金志英 ,  任台镇 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/02134

Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。