公开(公告)号：CN106082106A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610422054.6

申请日：2016-06-13

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 邱栋 ,  王鹏 ,  王宏臣 ,  陈文礼 ,  马宏

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01J5/20

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0174 ,  G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法，包含读出电路的半导体衬底和一具有第一微桥支撑结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，所述第一微桥结构上设有第二微桥结构，所述第二微桥结构上设有第三微桥结构；使用该方法，可以拓宽红外探测器的检测波段，从而扩展红外探测器的应用领域。不仅工艺简单，成本低，而且不会增加读出电路的设计难度。

公开(公告)号：CN107265388A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710429715.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司

Inventor： 朱二辉 ,  周志健 ,  于洋 ,  陈磊 ,  杨力建 ,  邝国华

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0163

Abstract: 本发明涉及适合表面贴装工艺的压阻式复合传感器及其制造方法。包括平面集成或垂直集成结构；使用的晶圆结构包括衬底层、顶层、晶圆内的绝缘层及在衬底内与晶圆内的绝缘层界面位置设有空腔；顶层和衬底层为反相掺杂；衬底层上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底层上形成有金属引脚；在顶层上形成有复合传感器的压阻条、电学引线区及电连接通道，电连接通道在电学引线区和衬底硅的重合区域内；通过顶层硅表面的绝缘层、顶层硅及晶圆内的绝缘层，设有释放槽，形成复合传感器加速度传感器的可动结构，键合保护盖板，形成密封空腔。本发明的压阻式复合传感器便于后续与相应控制电路(IC)实现三维(3D)封装，成本低。

公开(公告)号：CN107032290A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611195878.0

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张凯峯 ,  吕联沂 ,  蔡连尧

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/09 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0172 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/81805 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181

Abstract: 本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106542494A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610850447.7

申请日：2016-09-26

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 何洋 ,  刘少维 ,  杨儒元 ,  周庆庆 ,  曾行昌 ,  朱宝 ,  徐玉坤 ,  刘谦 ,  李小婷 ,  王颖 ,  苑伟政 ,  吕湘连

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种柔性结构中的中的多层微纳结构制作方法。该方法将待制备的不等高微纳结构按照结构高度分类；采用PDMS对硅模版复型的方式制备最低高度部分的微纳结构；采用高保型转移方法，依次由低到高地将其余高度部分的微纳结构作为待转移PDMS结构，进行转移制备，直至最大高度的微纳结构部分制备完毕。本发明通过逐层转移单层结构到基层结构上的方法完成多层不等高微纳结构的制备。工艺过程简单，易于实现微纳结构集成，将广泛应用于仿生多层微纳结构的制作以及超疏水结构的制作中。

公开(公告)号：CN106335872A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610885977.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 时廷 ,  王健鹏 ,  王俊杰

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种沟槽结构及其形成方法和三轴磁传感器的制作方法，所述沟槽结构的形成方法包括步骤：在一基底上沉积一第一介质层；在所述第一介质层中形成一开口，所述开口的侧壁与所述开口的底面具有第一倾斜角；沉积一第二介质层，所述第二介质层填充满开口并覆盖第一介质层；刻蚀第二介质层，保留开口的侧壁处的第二介质层以形成第一侧墙，第一侧墙的侧壁与开口的底面具有第二倾斜角，第二倾斜角大于第一倾斜角。本发明通过在开口结构的基础上，进一步在开口的侧壁处形成一第一侧墙，形成具有大倾斜角度的沟槽结构，以满足后续工艺，在所述沟槽的侧壁上形成良好的Z轴磁阻层结构，提高三轴磁传感器的性能。

公开(公告)号：CN106241730A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610627189.6

申请日：2016-08-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 戴丽萍 ,  宋文平 ,  王志明 ,  许龙来 ,  夏万顺 ,  王姝娅 ,  钟志亲 ,  张国俊

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，步骤如下：(1)利用化学气相沉积工艺在Si层上沉积一层SiO2薄膜，(2)刻蚀SiO2薄膜，(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极；(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜；(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2薄膜；(6)Si层第一次干刻；(7)去除Cr掩膜；(8)Si层第二次干刻；(9)绝缘层刻蚀，释放梳齿结构。采用简单工艺同时制造出等高和不等高垂直梳齿结构，可实现加速度计三轴方向特别是Z轴方向上加速度的检测。

公开(公告)号：CN108622842A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710167444.8

申请日：2017-03-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张健 ,  丁敬秀

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R9/08

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00658 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/0133 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H04R2231/003 ,  H04R2307/025 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0174 ,  H04R9/08

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。

公开(公告)号：CN107010589A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710061204.X

申请日：2017-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松沢勇介 ,  衣川拓也

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C5/06

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0728 ,  G01C5/06 ,  G01L9/0054 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明提供一种能够减少粘附的发生的压力传感器、该压力传感器的制造方法、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。压力传感器(1)具有：基板(2)，其具有隔膜(25)；空洞部(S)，其位于隔膜(25)的一侧；顶部(49)，其以隔着空洞部(S)而与隔膜(25)对置的方式而配置，并且在基板(2)的面向空洞部(S)的表面上形成有凹凸(27)。此外，凹凸(27)具有多个凹部(271)。

公开(公告)号：CN106966356A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710208013.1

申请日：2017-03-31

Applicant: 中北大学

Inventor： 闫树斌 ,  李国洪 ,  张志东 ,  张彦军 ,  冯登超 ,  张勐 ,  赵学峰 ,  薛晨阳 ,  张文栋

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0037 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明属于微机电系统领域，具体为一种悬臂梁式薄膜压力发电结构，包括框型基底，框型基底开口正对的梁上设有悬空在框型基底内的硅悬臂梁，硅悬臂梁的自由端固定有质量块，框型基底开口正对的梁上方还设有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设有底电极层，底电极层上朝框型基底开口侧延伸有位于硅悬臂梁上方的条状底电极层，质量块上设有PZT压电层，PZT压电层朝二氧化硅绝缘层方向延伸有位于条状底电极层上方的条状PZT压电层，条状PZT压电层上方设有顶电极层。当系统处于振动环境中时,外界环境中的振动能传递到系统内,引起硅悬臂梁振动并弯曲变形,使硅悬臂梁储存机械能,从而引起压电层的伸缩进而产生电信号,实现了机械能到电能的转换。

公开(公告)号：CN106744640A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710126277.2

申请日：2017-03-03

Applicant: 苏州甫一电子科技有限公司

Inventor： 邓敏 ,  李晓波 ,  刘瑞

IPC: B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B1/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种具有台阶状结构和真空腔体的微热板及其加工方法，所述微热板包括：第一基片，具有相背对的第一表面和第二表面，该第一表面上依次设置有第一隔热层、绝缘层、台阶状结构层、加热层和钝化层，所述加热层与电极电连接；第二基片，具有第三表面，所述第三表面上设置有第二隔热层；并且，至少是所述第一基片的第二表面与所述第二基片的第三表面密封结合而使所述第一基片与第二基片之间形成至少一真空腔体，所述真空腔体的壁上覆盖有绝热物质。所述微热板具有结构稳定性好，工作能耗低等优点。本发明还公开了所述微热板的加工方法，该加工方法简单易实施，可控性好。