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公开(公告)号：CN109650324A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811476831.0
申请日：2018-12-05
Applicant: 全普光电科技(上海)有限公司
Inventor： 汪际军
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C1/00404
Abstract: 本发明提供了一种MEMS芯片结构及制备方法、掩膜版、器件，通过设置MEMS主元件和MEMS辅助元件，将驱动电路元件、逻辑运算元件、CPU中央处理元件、电源与MEMS主元件融合在同一个芯片上，免去了传统MEMS器件中多个处理电路板所占用的较大较多的空间，显著缩小了以MEMS为基础的器件体积；也即是，去除了外围电路设计，采用本发明的MEMS芯片结构，将无需使用传统的芯片外围电路，由于芯片外围电路占据电器件产品的主要空间和体积，这将使得本发明的MEMS芯片结构为基础的电器件产品的体积和占据空间大大减小，真正的实现了电器件的微型化和便携性。
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公开(公告)号：CN105695300A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510587168.1
申请日：2015-09-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·布拉曼蒂
IPC: C12M1/00
CPC classification number: B01L3/50853 , B01J19/0046 , B01J2219/00317 , B01J2219/00427 , B01J2219/0043 , B01J2219/00619 , B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L7/52 , B01L2200/02 , B01L2200/025 , B01L2200/14 , B01L2300/0609 , B01L2300/0636 , B01L2300/0645 , B01L2300/08 , B01L2300/0829 , B01L2300/12 , B01L2300/161 , B01L2300/165 , B01L2300/1805 , B29C35/0894 , B29C59/14 , B29K2995/0093 , B81C1/00206 , B81C1/00404 , B81C2201/0187 , B01L3/5027 , B01L7/525 , B01L2300/0851
Abstract: 一种刚性掩模(10)，用于保护用于生化反应的芯片(1)的选择性部分，芯片包括多个井(5)，所述刚性掩模包括：支撑部分(12)；以及多个支腿(14)，每个支腿均设置有刚性芯柱(14a)和板(14b)。支腿(14)以与井(5)的空间布置呈镜面反射的方式相对于支撑部分(12)固定地布置，并且以以下方式配置：当每个支腿(14)插入到对应的井(5)中时，相应板(14b)至少部分地覆盖井的底部，从而在井的侧壁的化学/物理处理期间保护所述底部。
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公开(公告)号：CN102428022A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021334.7
申请日：2010-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C2201/0149 , H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 使用例如光刻法在基底上形成开口，该开口具有侧壁，其横截面由曲线轮廓的及凸面的区段构成。例如，该开口的横截面可由交迭的圆形区域构成。该侧壁在多个点邻接，在该邻接处限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的层施加于该开口及该基底上，并让其自组装。在开口中形成分离、隔开的畴，将所述畴除去以形成孔，该孔可被转印至下方基底。这些畴及与它们所对应的孔的位置由侧壁及它们的相关突出部处定向于预定的位置。这些孔分开的距离可大于或小于该嵌段共聚物(及任何添加剂)在无任何侧壁下自组装时的这些孔分开的距离。
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公开(公告)号：CN109052310A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810736715.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00404
Abstract: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J．退火。通过增加预刻蚀台阶，在钝化层去除的同时，除去台面侧面的部分接触金属电极，实现侧面电极的部分覆盖，在保证良好的附着接触质量前提下，所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN107381498A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610333421.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 边捷
Inventor： 边捷
CPC classification number: B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00476 , B82Y40/00
Abstract: 一种片状液相纳米颗粒制备方法，包括如下步骤：(1)在平整衬底上沉积可溶解的牺牲层薄膜材料；(2)再在牺牲层上沉积功能材料；(3)在功能材料层上沉积并制备聚合物材料的纳米图案；(4)以聚合物材料的纳米图案作为刻蚀掩模，利用刻蚀技术将纳米图案转移到下层的功能材料层上，再用刻蚀技术除去多余的聚合物材料；(5)利用合适的液体将牺牲层溶解，同时得到液相的片状功能材料纳米颗粒，颗粒形状与纳米图案一致。本发明方法可应用于制备任意图案的片状液相纳米颗粒，纳米颗粒可以是单层或多层不同材料组合而成；该方法制备工艺简单，可以高效率，低成本地制备最小尺寸为5纳米，最小厚度为0.1纳米且尺寸均一的液相片状纳米颗粒，能够很好的满足实际需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106865486A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510916676.X
申请日：2015-12-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 高燕
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/02 , B81C1/00349 , B81C1/00404
Abstract: 一种电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品。其中，电容式指纹传感器的形成方法包括：提供前端器件层；在前端器件层上形成金属互连结构；形成金属互连结构至少包括：形成次顶层金属互连层；在次顶层金属互连层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成第一通孔，第一通孔暴露至少部分次顶层金属互连层；在第一通孔内形成第一插塞；在第一绝缘层和第一插塞上形成第一刻蚀停止层；在第一刻蚀停止层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层和第一刻蚀停止层中形成第二通孔，第二通孔暴露至少部分第一插塞表面；在第二通孔内形成第二插塞；在第二绝缘层和第二插塞上方形成顶层金属互连层。所述形成方法形成的电容式指纹传感器中，指纹识别灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN105637405A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480057389.1
申请日：2014-11-07
Applicant: 住友精密工业株式会社
IPC: G02B26/08 , B81C1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/0841
Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。
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公开(公告)号：CN105264669A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031761.1
申请日：2014-06-05
Applicant: H·C·施塔克公司
Inventor： 孙树伟 , D·弗朗索瓦-查尔斯 , M·阿布阿夫 , P·霍根 , 张起
IPC: H01L29/786 , H01L21/335
CPC classification number: H01L27/1244 , B81C1/00 , B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C1/00523 , B81C1/00547 , C21D1/00 , C21D9/00 , C21D2201/00 , C21D2211/00 , C21D2251/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C22F1/08 , C22F1/14 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/026 , H01L23/53238 , H01L29/4908 , H01L29/6675 , H01L29/78603 , H01L29/78666 , H01L2924/0002 , Y10T428/12611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12681 , Y10T428/12687 , Y10T428/12694 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12743 , Y10T428/1275 , Y10T428/12806 , Y10T428/12812 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12847 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , H01L2924/00
Abstract: 在多个实施例中，诸如薄膜晶体管和/或触摸面板显示器的电子装置包括电极和/或互连，所述互连特征为：导体层，以及布置在导体层上方或下方的覆盖层和/或阻挡层，所述覆盖层和/或阻挡层包括Cu与选自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、Re、Os、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni组成的组合的一种或多种难熔金属元素的合金。
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公开(公告)号：CN109052311A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810736716.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00404
Abstract: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN108675260A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810535309.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 南京元感微电子有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00373 , B81C1/00349 , B81C1/00404
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，该方法包括：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，通过光刻工艺与刻蚀工艺对富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中间层；S13、将富硅中间层与玻璃的下表面接触压紧，阳极键合的阴极与玻璃的上表面电连接，阳极与富硅中间层电连接，加压加温进行阳极键合。上述阳极键合方法，通过在带结构图形的衬底正面沉积并形成图形化的富硅中间层，实现带结构图形的衬底正面与玻璃之间的阳极键合，以将结构图形保护在真空中不受外界影响，使采用此方法完成的器件可用于各种复杂环境，从而提高其适用范围。
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