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公开(公告)号：CN115180588B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210758698.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于测量对准偏差的测试结构，包括：硅立方体，其顶层形成有第一键合材料层，其形成于介质薄膜上，介质薄膜形成于第一晶圆上；第二键合材料层，其形成于所述第二晶圆上；其中，从俯视角度观察，测试区域包括中心区域，硅立方体形成于测试区域中的第一区域和第二区域，第一区域中形成有多个硅立方体，第二区域形成有多个硅立方体，第一区域位于中心区域的上方，第二区域位于中心区域的右方，第一区域中的每个硅立方体相互平行，第二区域中的每个硅立方体相互平行，第二键合材料层为矩形。本申请能够通过检测导通的硅立方体对传感器晶圆的对准偏差进行测量，提高了对对准精度的监控的精确度。
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公开(公告)号：CN111762754B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010608838.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，包括形成于第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于第二硅晶圆的第一表面上的第二键合材料块，在各顶层硅条形表面形成有第一键合材料层；各顶层硅条形作为共晶键合的对准偏差的刻度；第二键合材料块和第一测试衬垫连接；各顶层硅条形顶部的第一键合材料层都和对应的第二测试衬垫连接；进行对准偏差测量时，对第一和各第二测试衬垫的导通关系进行测量，导通时表示第二键合材料块和对应位置的顶层硅条形顶部的第一键合材料层键合，从而确定共晶键合的对准偏差。本发明能有效监控键合机台的对准精度。
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公开(公告)号：CN118039616A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410131555.3
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种超高压电阻，所述的超高压电阻形成于半导体衬底中的深沟槽中；所述的深沟槽的内壁附着一层具有一定厚度的绝缘介质层，然后深沟槽的剩余空间为多晶硅层，即所述的绝缘介质层呈U型将多晶硅层半包裹，以隔离所述的多晶硅层及半导体衬底；所述的半导体衬底表面具有层间介质，接触孔穿过所述层间介质将所述的多晶硅层在深沟槽的两端分别引出，形成所述的超高压电阻。本发明超高压电阻能够通过调节绝缘介质层的不同的厚度控制所需要的电阻耐压，不会受限于器件耐压，耐压可达千伏以上。并且，采用BCD工艺方法，LOCOS工艺和STI工艺都可以采用，不受限于工艺节点，制程简单，应用广泛。
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公开(公告)号：CN116864443A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310721133.7
申请日：2023-06-19
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺，在SOI衬底上进行刻蚀形成DTI沟槽；所述DTI沟槽的刻蚀，其底部仍保留一定厚度的外延硅层；进行热氧化工艺，充分氧化使所述DTI沟槽底部剩余的外延硅层全部转化为氧化层；对所述DTI沟槽进行多晶硅膜层淀积，将所述DTI沟槽的剩余空间填充满多晶硅。本发明工艺为了防止DTI沟槽底部产生空洞而降低隔离环耐压，采用在DTI沟槽刻蚀完成后，DTI沟槽底部保留一定厚度的外延硅层，然后通过热氧化工艺将DTI沟槽底部的残余外延硅层氧化成氧化膜，该氧化膜与SOI衬底自带的氧化层形成为一体完全包围隔离环，不会形成空洞或者空隙，从而形成良好的隔离介质。
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公开(公告)号：CN112289925B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202011266518.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
IPC: H10N50/01
Abstract: 本发明提供一种磁传感器的制备方法，包括：首先，在所述半导体衬底上的所述介质层中形成一沟槽，所述沟槽暴露部分所述第一金属层。然后，在所述介质层上以及所述沟槽内形成磁性材料膜层。再去除所述沟槽底部的所述磁性材料膜层，以暴露部分所述第一金属层。最后，在所述沟槽内形成第二金属层，所述第二金属层填充覆盖所述沟槽。因此，本发明通过一沟槽，并在所述沟槽内先形成所述磁性材料膜层，再形成第二金属层，以使得所述磁性材料膜层经所述第二金属层和所述第一金属层与所述半导体衬底互连。无需形成金属接触孔结构实现第一金属层和第二金属层的连接。故本发明不仅精简了工艺流程，还减少掩模的使用，大大降低了制备成本，提高制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137345B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910464493.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，以图形化的所述光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，暴露出所述第一凹槽的侧壁上的Z轴磁阻结构，再去除所述光刻胶层，以在所述第二凹槽中形成COMS晶体管与AMR的互连通孔时，通过对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，使得第一凹槽侧壁上的硬掩模层可以一次性被去除，从而减少了工艺步骤，降低了生产成本，还提高了三轴磁传感器中Z轴磁阻条的反应灵敏度，提高了三轴磁传感器的性能。另外，本发明使用的各向同性刻蚀工艺和去除光刻胶层的工艺在同一个设备中进行，无需更换设备，缩短了工艺时间，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114014261A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111190135.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆键合对准精度的测量方法及结构，涉及半导体制造领域。该方法包括在第一晶圆的锗键合层中形成锗键合对准图形和偏移量检测图形；偏移量检测图形为内侧带有刻度指示图形的矩形框图形；在第二晶圆的铝键合层中形成铝键合对准图形和定位图形；定位图形为带有指针的十字形图形；将第一晶圆上的锗键合对准图形和第二晶圆上的铝键合对准图形对准；将锗键合层和铝键合层共晶键合；利用红外线获取偏移量检测图形和定位图形结合形成的对准精度量测图形，根据对准精度量测图形确定第一晶圆和第二晶圆的对准偏差值；解决了目前难以对键合机台的对准精度进行监控的问题；达到了准确直观地判断对准偏差，有效监控键合机台对准精度的效果。
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公开(公告)号：CN112289925A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011266518.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁传感器的制备方法，包括：首先，在所述半导体衬底上的所述介质层中形成一沟槽，所述沟槽暴露部分所述第一金属层。然后，在所述介质层上以及所述沟槽内形成磁性材料膜层。再去除所述沟槽底部的所述磁性材料膜层，以暴露部分所述第一金属层。最后，在所述沟槽内形成第二金属层，所述第二金属层填充覆盖所述沟槽。因此，本发明通过一沟槽，并在所述沟槽内先形成所述磁性材料膜层，再形成第二金属层，以使得所述磁性材料膜层经所述第二金属层和所述第一金属层与所述半导体衬底互连。无需形成金属接触孔结构实现第一金属层和第二金属层的连接。故本发明不仅精简了工艺流程，还减少掩模的使用，大大降低了制备成本，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN111591955A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010456531.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合结构及方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆上形成有第一键合结构，所述第二晶圆上形成有第二键合结构。所述第一键合结构上形成有第一对准图案和第一测量图案，所述第二键合结构上形成有第二对准图案和第二测量图案。对准第一对准图案和第二对准图案，并使得第一测量图案与第二测量图案相对应。键合第一晶圆和第二晶圆后，获取第一测量图案与第二测量图案形成的偏差，以得到所述晶圆键合的偏差值。本发明通过在第一键合结构和第二键合结构上分别加设第一测量图案和第二测量图案，从而使得在晶圆键合后，可直接读取键合偏差值，实现对工艺的精准监测，有利于校准键合机器，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN104681713B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410844151.5
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提出了一种各向异性磁阻及提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，在形成常规的Z轴垂直磁阻之后，接着在垂直磁阻的表面形成刻蚀阻挡层，接着，在刻蚀阻挡层的表面形成补偿磁阻，接着刻蚀区域位于基片表面上的补偿磁阻，保留位于沟槽侧壁上的补偿磁阻，从而在不增加表面磁阻厚度的情况下，增加沟槽侧壁上的补偿磁阻的厚度，并且刻蚀阻挡层并不影响磁场的通过，不会影响各向异性磁阻的性能。
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