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公开(公告)号：CN110491796B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201910781685.0
申请日：2019-08-23
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 时廷
Abstract: 本发明提供了一种3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，包括：第一金属层、与所述第一金属层通过第一通孔连通的第二金属层，位于所述第一金属层和第二金属层上的二氧化硅层、所述二氧化硅层内形成有沟槽，位于所述二氧化硅层表面并且通过第二通孔与第二金属层连通的氮化钛层，位于所述氮化钛层上与所述氮化钛层连通的第一测试键，位于所述第二层氮化硅上的与所述磁阻层连接的第二测试键，所述第一测试键和所述第二测试键具有一定距离。在本发明提供的3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，可用于检测外界磁场；同时，通过测试第一测试键和第二测试键是否连通，可以检测第一金属层和磁阻层是否短路。
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公开(公告)号：CN105070825B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510490504.0
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提出了一种平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻及其制备方法，将垂直磁阻进行分段，形成多个，并且每一个均位于两个电极间隔处的沟槽侧壁上，在电极进行通电流时，通过平面磁阻流向多个垂直磁阻内电流量较少，并且由于垂直磁阻被分段，使电流在多个垂直磁阻之间进行流通，因此沟槽侧壁处垂直磁阻的电流会大大降低，从而能够减少垂直磁阻的电流对平面磁阻的影响；此外，磁畴具有趋向于沿磁阻长条方向进行排列的特性，由于垂直磁阻沿着沟槽水平方向的长度小于垂直磁阻沿着沟槽垂直方向的深度，能够使垂直磁阻的磁畴沿着沟槽垂直方向进行排列，使垂直磁阻具有较好的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105140388B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510490503.6
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提出了一种改进Z轴灵敏度的3轴各向异性磁阻及其制备方法，在垂直磁阻上形成专门对其进行修复的垂直磁阻修复电路，能够使垂直磁阻的磁畴沿沟槽深度的垂直方向进行排序，能够确保垂直磁阻的稳定性，此外，由于垂直磁阻的磁畴在垂直方向排序，因此可参与在垂直方向上的工作的磁畴增多，从而能够提高Z轴的垂直磁阻灵敏度。
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公开(公告)号：CN106335872A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610885977.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00015 , B81C1/00349 , B81C2201/0174
Abstract: 本发明公开了一种沟槽结构及其形成方法和三轴磁传感器的制作方法，所述沟槽结构的形成方法包括步骤：在一基底上沉积一第一介质层；在所述第一介质层中形成一开口，所述开口的侧壁与所述开口的底面具有第一倾斜角；沉积一第二介质层，所述第二介质层填充满开口并覆盖第一介质层；刻蚀第二介质层，保留开口的侧壁处的第二介质层以形成第一侧墙，第一侧墙的侧壁与开口的底面具有第二倾斜角，第二倾斜角大于第一倾斜角。本发明通过在开口结构的基础上，进一步在开口的侧壁处形成一第一侧墙，形成具有大倾斜角度的沟槽结构，以满足后续工艺，在所述沟槽的侧壁上形成良好的Z轴磁阻层结构，提高三轴磁传感器的性能。
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公开(公告)号：CN110444531A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910781705.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 时廷
IPC: H01L23/544 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，包括：提供CMOS器件的顶层金属层；在CMOS器件的顶层金属层上形成一二氧化硅层，在二氧化硅层内形成一第一沟槽；沉积第一层氮化硅覆盖所述二氧化硅层和所述第一沟槽；沉积磁阻层覆盖所述第一层氮化硅；沉积氮化钽覆盖所述磁阻层；依次刻蚀部分氮化钽和磁阻层，露出第一层氮化硅；沉积第二层氮化硅覆盖第一层氮化硅和剩余的氮化钽；刻蚀第一沟槽底部的第二层氮化硅露出CMOS器件的顶层金属层表面形成第一通孔，刻蚀剩余的第二层氮化硅露出磁阻层形成第二通孔；沉积金属层，刻蚀氮化钽上的部分金属层形成第一测试键和第二测试键。可以测试磁阻层和CMOS器件的顶层金属层是否漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655484A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610065775.6
申请日：2016-01-29
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G01R33/096 , H01L43/02
Abstract: 本发明公开了一种三轴AMR磁力传感器的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底上形成第一绝缘层；步骤二、在第一绝缘层中形成沟槽；步骤三、形成第二侧壁修复层对沟槽的表面损伤进行修复；步骤四、形成第三介质隔离层；步骤五、形成具有各向异性磁电阻的磁性材料层；步骤六、对磁性材料层进行光刻刻蚀形成三轴AMR磁力传感器。本发明通过在沟槽刻蚀之后增加了一步对沟槽的底部表面和侧面损伤进行修复的工艺，能增加沟槽侧面的光滑度，使得后续形成于沟槽侧面的Z轴AMR磁力传感器的特性得到改善，能以较低工艺成本改善Z轴AMR磁力传感器的磁性。
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公开(公告)号：CN105140388A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510490503.6
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提出了一种改进Z轴灵敏度的3轴各向异性磁阻及其制备方法，在垂直磁阻上形成专门对其进行修复的垂直磁阻修复电路，能够使垂直磁阻的磁畴沿沟槽深度的垂直方向进行排序，能够确保垂直磁阻的稳定性，此外，由于垂直磁阻的磁畴在垂直方向排序，因此可参与在垂直方向上的工作的磁畴增多，从而能够提高Z轴的垂直磁阻灵敏度。
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公开(公告)号：CN103811309A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410080852.6
申请日：2014-03-06
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556 , H01L28/10 , H01L23/645
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域，所述衬底的第二区域表面高于第一区域表面，所述第二区域内形成有平面电感，所述平面电感包围第一区域；在所述第一区域内形成第一凹槽；在所述衬底上以及第一凹槽内形成磁性材料层；采用无掩膜刻蚀工艺，去除位于所述衬底上的部分磁性材料层，形成位于所述第一凹槽内的磁性层，所述磁性层能提高通过所述平面电感的磁通量。上述方法可以提高平面电感的性能。
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公开(公告)号：CN110444531B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910781705.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 时廷
IPC: H01L23/544 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，包括：提供CMOS器件的顶层金属层；在CMOS器件的顶层金属层上形成一二氧化硅层，在二氧化硅层内形成一第一沟槽；沉积第一层氮化硅覆盖所述二氧化硅层和所述第一沟槽；沉积磁阻层覆盖所述第一层氮化硅；沉积氮化钽覆盖所述磁阻层；依次刻蚀部分氮化钽和磁阻层，露出第一层氮化硅；沉积第二层氮化硅覆盖第一层氮化硅和剩余的氮化钽；刻蚀第一沟槽底部的第二层氮化硅露出CMOS器件的顶层金属层表面形成第一通孔，刻蚀剩余的第二层氮化硅露出磁阻层形成第二通孔；沉积金属层，刻蚀氮化钽上的部分金属层形成第一测试键和第二测试键。可以测试磁阻层和CMOS器件的顶层金属层是否漏电。
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公开(公告)号：CN108931745A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810482568.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 时廷
Abstract: 本发明提供一种各向异性磁电阻传感器及其置位/复位电路和制造方法，该置位/复位电路，包括由第一金属层、金属连接柱和第二金属层形成一闭合的多匝螺旋金属线圈，所述各向异性磁电阻传感器的磁阻层贯穿于所述螺旋金属线圈。本发明提供具有修复能力强、快速修复和修复效果均衡的优点。
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