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公开(公告)号：CN108975267B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201810800783.X
申请日：2018-07-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种3D管道形成方法，在第一介质层中制作第一凹槽；在所述第一凹槽的底壁和侧壁上形成第一金属层，获得第一空腔；在所述第一介质层上形成第二金属层，覆盖所述第一空腔；刻蚀所述第一空腔顶部的所述第二金属层，形成第二空腔并露出所述第一空腔；在所述第二金属层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层中制作第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二空腔连通。通过形成第一空腔和第二空腔，所述第二凹槽与所述第二空腔连通，进而所述第二凹槽通过第二空腔与第一空腔连通。最后使得相邻两金属层中的金属管道连通，形成3D金属管道，从而增加了管道总长度，能够实现更多的功能。
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公开(公告)号：CN107403789A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710676911.X
申请日：2017-08-09
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种提高高阻衬底电感性能的方法及半导体结构，所述介质层位于所述高阻衬底的上表面，所述钝化层位于所述介质层的上表面，在所述介质层中形成电感线圈，所述电感线圈包括第一金属层和第二金属层，所述第二金属层较所述第一金属层更靠近所述高阻衬底；去除所述电感线圈上表面的钝化层和介质层，以暴露出所述电感线圈的部分第一金属层。由于只是去除电感线圈的上表面的钝化层和介质层，其他位置的钝化层和介质层依然保留，能够继续保护有源器件不受外界水汽的侵蚀。所述电感线圈的上表面去除了部分钝化层和介质层，减小了高阻衬底表面产生的感应电荷，提高了电感的性能。
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公开(公告)号：CN106340508A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610884648.9
申请日：2016-10-10
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种电感的形成方法及电感，电感的形成方法包括：提供衬底，所述衬底中具有第一金属层；在所述衬底中形成第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一金属层连通；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充导电材料；在所述衬底上形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成电感线圈。在本发明提供的电感的形成方法及电感中，通过在衬底中形成的第一沟槽和第二沟槽，当在第一沟槽上形成第二金属层时，第二金属层会在第一沟槽处的上表面形成凹陷，从而通过第二沟槽增加了电感线圈的表面积，因此，本发明通过增加线圈表面积提高了电感的性能。
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公开(公告)号：CN103208456B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310095428.4
申请日：2013-03-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：半导体衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有焊盘第一金属和熔丝层，第一介质层、焊盘第一金属和熔丝层表面具有第二介质层；在第二介质层表面形成焊盘第二金属；在焊盘第二金属表面形成保护层；在第二介质层和保护层表面形成第三介质层；刻蚀形成第一开口和第二开口，第一开口贯穿第三介质层，并暴露出保护层表面，第二开口贯穿第三介质层和第二介质层，并暴露出熔丝层表面，刻蚀第三介质层的速率较刻蚀保护层的速率高，刻蚀第二介质层的速率较刻蚀保护层的速率高；去除第一开口底部的保护层，并暴露出焊盘第二金属表面。半导体结构的形成工艺简单，所形成的半导体结构的形貌良好，性能稳定。
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公开(公告)号：CN102299181B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110257445.4
申请日：2011-09-01
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法。根据本发明的MOS晶体管包括：源极、漏极以及栅极，其中栅极具有栅介质层以及布置在所述栅介质层上的栅电极，并且所述栅电极被分成多个相互隔离的组成部分。所述多个相互隔离的组成部分被分成第一组和第二组。所述第一组所包含的组成部分均连接至阈值调节电压，并且所述第二组所包含的组成部分间隔布置均连接至栅极电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103063351B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210564072.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
Abstract: 一种微机电系统压力传感器及其制作方法、微机电系统，该方法在图形化敏感薄膜以形成释放开口的同时，在敏感薄膜内形成沟槽，部分沟槽与部分空腔交叠，在敏感薄膜上形成用于密封释放开口的覆盖层之后，填充在沟槽内的覆盖层内部会形成由空洞构成的第一通道，其上方设置有一个与其连通的第二通道，由此空腔可通过第一及第二通道与压力传感器的外部环境连通。这样，当将形成有第二通道的压力传感器置于气压为1个标准大气压、温度为常温的环境中之后即可使得空腔内的气压也为1个标准大气压，将第二通道密封之后可使得在常温条件下空腔内的气压固定在1个标准大气压，进而能够使压力传感器在测量大气压强时具有较佳的线性度及较大的测量范围。
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公开(公告)号：CN105470152A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410465845.8
申请日：2014-09-12
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种提高整合被动高阻衬底铜电感的射频性能的方法，包括：在高阻衬底上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成介质层，并且在介质层中形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧壁阻挡层，并且在凹槽的底部形成底部阻挡层；在形成有侧壁阻挡层和底部阻挡层的凹槽中填充用于形成电感的铜材料；其中，底部阻挡层的厚度被控制成使得所述铜材料能够透过层间绝缘层扩散至高阻衬底。
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公开(公告)号：CN102616731B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210085879.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 黎坡
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种MEMS器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底具有固定部件；在所述衬底上形成图形化的牺牲层；形成覆盖所述图形化的牺牲层和衬底的介质层；图形化所述介质层，使位于所述图形化的牺牲层上的介质层中以及位于衬底上的介质层中各至少包括一个开口，以暴露部分图形化的牺牲层和衬底；对暴露出的部分衬底进行腐蚀，至在所述衬底中形成水平方向宽度大于所述位于衬底上介质层中开口宽度的孔洞；去除所述图形化的牺牲层；在所述介质层上沉积覆盖材料，形成覆盖层，所述覆盖材料填满位于衬底上介质层中开口以及衬底中的孔洞。本发明MEMS器件的制造方法能够有效提高所制造MEMS器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN104900630A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510308861.0
申请日：2015-06-07
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出了一种提高对准标记对比度的结构及其形成方法，在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，由于钝化孔的存在，光线会在钝化孔处进行折射和漫反射，从而避免光线直接反射出，增加对准标记和钝化孔处的对比度，有利于设备机台识别对准标记。
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公开(公告)号：CN101935873B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010278602.5
申请日：2010-09-10
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200-1000ohm-cm的P型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的部分或全部空穴被抵消。本发明方法首先提供掺杂浓度为中等、电阻率并不是很高的p型晶片，然后对其进行热处理，通过控制热处理过程的时间使得热处理过程不会产生过多的氧热施主，由于先前提供的晶片的掺杂浓度为中等，因此对于p型晶片，产生的适当氧热施主会使晶片中部分或全部受体空穴产生抵消，从而可使晶片的电阻率显著地上升。通过本发明方法可得的电阻率高达1000ohm-cm以上的晶片。
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