公开(公告)号：CN118899285A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410421116.6

申请日：2024-04-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：经由第一键合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及经由第二键合材料安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：保护膜；以及在保护膜的第一开口部分中从保护膜被暴露的第一焊盘电极。第二半导体芯片经由第二键合材料安装在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。第二键合材料包括：与第一焊盘电极接触的第一构件；以及被插入在第一构件与第二半导体芯片之间的第二构件。第一构件是膜状导电键合材料，并且第二构件是膜状绝缘键合材料。

公开(公告)号：CN118647252A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410235703.6

申请日：2024-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 波多俊幸 ,  富泽全

IPC: H10N19/00 ,  H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387 ,  H03K17/687 ,  H03K17/08

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法以及设置芯片组的方法，其中半导体器件包括：第一半导体芯片，具有第一功率晶体管和温度感测二极管；以及第二半导体芯片，具有第二功率晶体管但不具有温度感测二极管。

公开(公告)号：CN116544221A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202211677925.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  柳川洋 ,  森和久 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H03K17/687

Abstract: 一种半导体装置包括：第一半导体芯片，其包括n型的第一MOSFET和第一寄生二极管；以及第二半导体芯片，其包括n型的第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一正面中，第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一背面中。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二正面中，第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二背面中。第一正面和第二正面彼此面对，使得第一源极电极和第二源极电极经由导电膏彼此接触。

公开(公告)号：CN115440694A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210552964.1

申请日：2022-05-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 奥西勅子 ,  波多俊幸

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/544 ,  H02M7/00 ,  H02P27/06

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。为了减小用于大电流应用的半导体器件中的导通电阻，半导体器件包括源极端子引线，该源极端子引线在平面图中位于栅极端子引线与开尔文端子引线之间并且经由多个导线与源极端子电连接。

公开(公告)号：CN104603943B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201280075599.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84345 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

Abstract: 准备具有搭载有第1半导体芯片的第1芯片搭载部和搭载有第2半导体芯片的第2芯片搭载部的引线框架。另外，具有将第1金属条带的一端连接于在上述第1半导体芯片的表面上形成的第1电极焊盘，将上述第1金属条带的与上述一端相反侧的另一端连接于上述第2芯片搭载部上的条带连接面的工序。另外，在平面视图中，上述第2芯片搭载部的上述条带连接面位于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间。另外，上述条带连接面配置于高度比上述第2芯片搭载部的上述第2半导体芯片的搭载面的高度高的位置。

公开(公告)号：CN102593078B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210019756.1

申请日：2012-01-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 波多俊幸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种可以增强构成半导体器件的封装体的可靠性的技术。本发明的技术构思的特征在于：散热器单元与外部引线单元相互分离；并且外部引线单元具有芯片布置部分，并且每个芯片布置部分与每个散热器接合在一起。结果，当在树脂密封步骤处形成密封本体时，连接部分起到用于防止树脂泄漏的阻挡部的功能，并且因此可以防止在封装体产品中形成树脂毛刺。此外，在散热器单元中不发生弯曲并且可以抑制由弯曲(翘曲)引起的在密封本体中的断裂。

公开(公告)号：CN102543771A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210043162.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。

公开(公告)号：CN101295687B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810093595.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。