公开(公告)号：CN102543771A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210043162.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。

公开(公告)号：CN101295687B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810093595.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。