公开(公告)号：CN102082189B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010571325.7

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101409216B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

公开(公告)号：CN101479777B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780024166.5

申请日：2007-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  西毅 ,  荻野清文 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  须泽英臣

IPC: G02B1/11 ,  G09F9/00 ,  G02B5/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: G02B1/118 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/185 ,  G02F1/133502 ,  G02F2201/38 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5281 ,  H05B33/22

Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。

公开(公告)号：CN101438418B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780015170.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101728278A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207327.5

申请日：2009-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河 ,  伊藤俊一 ,  细羽幸

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G03F1/00

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。

公开(公告)号：CN101409216A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的另一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

公开(公告)号：CN116762476A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280011963.4

申请日：2022-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  笹川慎也 ,  西崎史朗 ,  方堂凉太

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。本发明是一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体及第一EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体且在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。接着，在第二绝缘体的重叠于第一导电体的区域中形成到达第一导电体的第一开口部。在包含第一、第二绝缘体上及第一导电体上的区域涂敷正型光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂中重叠于第一开口部及第一导电体的区域中形成到达第一导电体及第二绝缘体的具有反锥结构的第二开口部。在光致抗蚀剂的第二开口部的底部及光致抗蚀剂上依次形成第一EL层、第二导电体及第三绝缘体，然后去除光致抗蚀剂及形成在光致抗蚀剂上的第一EL层、第二导电体及第三绝缘体。

公开(公告)号：CN116686031A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180087487.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博

IPC: G09F9/00

Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。本发明的一个方式是一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层夹在电极间，第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一保护层与第二电极接触。另外，第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层夹在电极间，第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第二层在与第一层间具有第一间隙。第二保护层在与第一保护层间具有第二间隙，第二间隙与第一间隙重叠，第二保护层与第四电极接触。另外，分隔壁与第一间隙及第二间隙重叠。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。

公开(公告)号：CN114144894A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052839.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  广濑贵史 ,  小松良宽 ,  栃林克明 ,  菅谷健太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。