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公开(公告)号：CN101471398B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810189178.X
申请日：2008-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明名称为光电转换装置的制造方法。在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。
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公开(公告)号：CN114223060A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080057006.6
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。在该半导体装置中，晶体管包括：氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第二导电体上的第二绝缘体；配置在第一绝缘体及第二绝缘体上且其中以重叠于第一导电体与第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；氧化物半导体上且配置在第一导电体与第二导电体间的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，电容器包括：第二导电体；形成有到达第二导电体的第二开口的第三绝缘体；配置在第二开口内部的第五绝缘体；以及第五绝缘体上的第四导电体，插头穿过第一绝缘体、第三绝缘体、第一导电体及氧化物半导体，插头与第一导电体电连接，第一绝缘体及第二绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN114144894A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052839.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L23/532
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN113557608A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020164.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035753B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210367388.X
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方式提供一种提高了电特性的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个面上使用第一硅半导体层及第二硅半导体层的叠层形成窗口层，第二硅半导体层的载流子浓度高于第一硅半导体层的载流子浓度且具有开口部。在该开口部中，由于光不经过第二硅半导体层地照射到第一硅半导体层，所以可以减少窗口层中的光吸收损失。
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公开(公告)号：CN102569534A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110439853.1
申请日：2011-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/20 , B41M1/12 , H01L31/0224 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/035281 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供了一种微小电极、包括该微小电极的光电转换器件及其制造方法。在基板中形成有多个平行沟槽部分以及夹在这些沟槽部分之间的区域，并且导电树脂被提供给这些沟槽部分和该区域并且固定，由此用导电树脂来填充这些沟槽部分，并且用导电树脂来覆盖该区域。所提供的导电树脂没有向外扩展，并且可以形成具有设计宽度的电极。在夹在这些沟槽部分之间的区域上形成该电极的一部分，由此短轴方向上的横截面的面积可以是很大的，并且可以获得长轴方向上的低电阻。
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公开(公告)号：CN102569534B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110439853.1
申请日：2011-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/035281 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供了一种微小电极、包括该微小电极的光电转换器件及其制造方法。在基板中形成有多个平行沟槽部分以及夹在这些沟槽部分之间的区域，并且导电树脂被提供给这些沟槽部分和该区域并且固定，由此用导电树脂来填充这些沟槽部分，并且用导电树脂来覆盖该区域。所提供的导电树脂没有向外扩展，并且可以形成具有设计宽度的电极。在夹在这些沟槽部分之间的区域上形成该电极的一部分，由此短轴方向上的横截面的面积可以是很大的，并且可以获得长轴方向上的低电阻。
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公开(公告)号：CN103035753A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367388.X
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方式提供一种提高了电特性的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个面上使用第一硅半导体层及第二硅半导体层的叠层形成窗口层，第二硅半导体层的载流子浓度高于第一硅半导体层的载流子浓度且具有开口部。在该开口部中，由于光不经过第二硅半导体层地照射到第一硅半导体层，所以可以减少窗口层中的光吸收损失。
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公开(公告)号：CN101471398A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810189178.X
申请日：2008-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明名称为光电转换装置的制造方法。在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。
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