公开(公告)号：CN113557608A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080020164.4

申请日：2020-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  佐藤优一 ,  芝崎笃 ,  种村和幸 ,  广濑贵史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。