公开(公告)号：CN103035753B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201210367388.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑贵史 ,  楠木直人

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方式提供一种提高了电特性的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个面上使用第一硅半导体层及第二硅半导体层的叠层形成窗口层，第二硅半导体层的载流子浓度高于第一硅半导体层的载流子浓度且具有开口部。在该开口部中，由于光不经过第二硅半导体层地照射到第一硅半导体层，所以可以减少窗口层中的光吸收损失。

公开(公告)号：CN103035753A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367388.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑贵史 ,  楠木直人

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方式提供一种提高了电特性的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个面上使用第一硅半导体层及第二硅半导体层的叠层形成窗口层，第二硅半导体层的载流子浓度高于第一硅半导体层的载流子浓度且具有开口部。在该开口部中，由于光不经过第二硅半导体层地照射到第一硅半导体层，所以可以减少窗口层中的光吸收损失。