公开(公告)号：CN101681843A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020573.3

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101425455A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN100440538C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN101308782A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810088432.7

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  沟井达也 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN101118851A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  祝保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下，优选为大于6×10－7/℃且31.8×10－7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为－500N/m以上且+50N/m以下，优选成为－150N/m以上且0N/m以下。

公开(公告)号：CN100336164C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。

公开(公告)号：CN1915572A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1581440A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058844.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  古山将树 ,  小路博信

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，及在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。

公开(公告)号：CN111524967B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010201041.2

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN107210230B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201680008956.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。