公开(公告)号：CN101118851A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  祝保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下，优选为大于6×10－7/℃且31.8×10－7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为－500N/m以上且+50N/m以下，优选成为－150N/m以上且0N/m以下。