-
公开(公告)号：CN113330141A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
-
公开(公告)号：CN109643639A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052875.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
-
公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
-
公开(公告)号：CN110168698B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201780079463.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
-
公开(公告)号：CN110622298B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880031479.1
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643639B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780052875.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
-
公开(公告)号：CN110140193B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201780082344.3
申请日：2017-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm2至约0.35W/cm2的功率密度；(c)在不存在基板的情况下执行腔室清洁工艺；以及(d)重复(a)至(c)。
-
公开(公告)号：CN114144863A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080044321.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。
-
-
公开(公告)号：CN110168698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780079463.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.021 seconds)
