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公开(公告)号：CN117795646A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280045892.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/505 , C23C16/34 , H01L21/033
Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硼和氮材料。
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公开(公告)号：CN116711050A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180079746.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻速率更大的第三蚀刻速率。所述处理方法可进一步包括穿过第一半导体层蚀刻开口，其中所述开口具有高度和宽度，并且其中所述开口的特征在于所述开口的高度的中点与所述开口的端点之间的宽度变化小于或约为5埃。
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公开(公告)号：CN116601743A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084867.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , D·帕德希 , H·俞
IPC: H01L21/311
Abstract: 示例性沉积方法可包括经由半导体处理腔室的面板将前驱物引入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括使含氧前驱物从半导体处理腔室的基座下方流入处理区域。基座可支撑基板。基板可在基板的表面中限定沟槽。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成前驱物的第一等离子体。所述方法可包括在沟槽内沉积第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中形成第二等离子体。所述方法可包括在使含氧前驱物流动的同时蚀刻第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中重新形成第一等离子体。所述方法也可包括在经蚀刻的氧化物膜上沉积第二氧化物膜。
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公开(公告)号：CN116547795A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180078826.8
申请日：2021-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 描述了半导体处理系统和方法，其可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，其中基板处理区域包括静电夹盘。方法可进一步包括由沉积前驱物在静电夹盘上沉积陈化层以形成陈化的静电夹盘。陈化层可以由大于或约3.5的介电常数表征。方法可又进一步包括向陈化的静电夹盘施加大于或约500V的电压。陈化的静电夹盘可以由当施加电压时小于或约25mA的漏电流表征。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113316835A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089580.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。
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公开(公告)号：CN113169022A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN112204706A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及薄膜的原位沉积和处理以改善阶梯覆盖率的方法。一个实施例中，提供用于处理基板的方法。该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中该等离子体由第一脉冲RF功率形成；在工艺腔室中将介电层暴露于使用氮与氦的气体混合物的第一等离子体处理；以及通过将介电层暴露于由含氟前驱物与载气的气体混合物所形成的等离子体而执行等离子体蚀刻工艺，其中等离子体是在工艺腔室中由第二脉冲RF功率形成。
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公开(公告)号：CN108292594A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069461.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274 , H01L21/32
Abstract: 描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。
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