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公开(公告)号：CN104637529B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410033720.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/418 , G11C8/16 , G11C8/18
Abstract: 除了其他方面，提供了用于便于对单端口存储器件进行存取操作的一种或多种技术或者系统。在系统时钟的单时钟周期期间对单端口存储器件（诸如SPSRAM的6晶体管位单元阵列）进行多次存取操作。在一个实施例中，封装控制器基于系统时钟的上升沿在系统时钟的第一时钟周期期间启动第一存取操作。响应于在第一时钟操作期间接收操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第二存取操作。采用这种方式，对于比用于改进的存储密度的多端口存储器件占用相对较小面积的单端口存储器件，实现了多端口存取功能，诸如以串行方式减轻操作干扰。本发明还提供了SPSRAM封装器。
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公开(公告)号：CN102820052B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110399392.X
申请日：2011-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C11/418 , G11C7/1012 , G11C7/18 , G11C11/413
Abstract: 一种SRAM多路复用装置包括多个局部多路复用器和一个全局多路复用器。每个局部多路复用器都与内存组相连接。全局多路复用器具有多个输入端，每个都与多个局部多路复用器的对应的输出端连接。响应于经过解码的地址，在读操作期间，局部多路复用器的输入被传送至全局多路复用器的对应的输入端。类似地，经过解码的地址使得全局多路复用器能够通过缓冲器将输入信号传送至数据输出端口。
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公开(公告)号：CN102969018A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210033287.9
申请日：2012-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C5/063 , G11C11/413 , Y10T307/445
Abstract: 本发明公开一种具有沿着信号路径的连续负载设备的集成电路中的飞跨导体片段。通过隔离离信号源更远的负载设备的子集，并且通过旁路更接近信号源的子集的飞跨导体将更远子集连接至信号，改善通过沿着导体顺序连接的多个负载设备的信号的传播延迟。该技术可应用于连接至给定字线的随机存取存储器(SRAM)中的位单元的子集、或应用至顺序地连接至选通信号的字线解码器门、以及其他电路，该电路中，可选择为一组的负载设备可以通过到信号源的接近度被分为子集。在具有多级的SRAM布局中，不同金属沉积层承载与旁路较近子集的飞跨导体相对的负载设备之间的导体支路。
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公开(公告)号：CN108631767B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710997126.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
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公开(公告)号：CN111128282B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911062996.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113630109A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110227719.9
申请日：2021-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/22
Abstract: 提供了一种功率检测电路、系统以及方法。该功率检测电路包括比较电路，该比较电路用于响应于输入信号而产生输出信号。该输出信号配置为响应于输入信号达到第一阈值而从第一值改变为第二值。该输出信号配置为响应于输入信号随后达到第二阈值而从第二值变为第一值。限流电路连接至比较电路，并且可操作以限制比较电路的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN112530479A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911353772.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/412 , G11C11/417 , G11C16/30
Abstract: 电荷共享型低单元电压(LCV)写入辅助利用存储阵列的顶部上的未使用金属层来实施电容，而不产生面积成本。在每一写入操作的电荷共享阶段期间，对于给定的低单元电压电平，只需要一次性固定量的电荷支出。平行于位单元电源线的金属线在所有存储器密度配置当中对电荷共享具有良好的电容匹配，从而有利于存储器编译器设计。
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公开(公告)号：CN110504155A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201811318128.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。
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公开(公告)号：CN108631767A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710997126.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521
Abstract: 本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
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公开(公告)号：CN108122986A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711191016.5
申请日：2017-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 根据一些实施例，提供半导体装置结构的形成方法。上述方法包含在掩模层上图案化多个芯棒。上述方法亦包含在掩模层和芯棒的上表面上形成蚀刻涂布层。上述方法还包含沉积介电层于掩模层和芯棒上，其中介电层的沿着芯棒的侧壁的第一厚度大于介电层的沿着蚀刻涂布层的第二厚度。此外，上述方法包含移除介电层的水平部分。上述方法亦包含利用介电层留下的垂直部分来作为蚀刻掩模，以图案化掩模层。
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