公开(公告)号：CN110504155B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201811318128.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢维哲 ,  黄靖宇 ,  叶昕豪 ,  王俊尧 ,  李资良

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。

公开(公告)号：CN110504155A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201811318128.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢维哲 ,  黄靖宇 ,  叶昕豪 ,  王俊尧 ,  李资良

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。

公开(公告)号：CN109817520A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810605779.8

申请日：2018-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶昕豪

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种半导体晶粒退火方法。在此方法中，接收与一半导体晶粒的布局相关的信息。根据所接收的信息，获得在半导体晶粒上的至少一退火轨迹。根据所接收的信息，对半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序。根据对准记号，定位半导体晶粒。沿着退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的半导体晶粒上，以退火所定位的半导体晶粒的一第一部分，第一部分由退火轨迹所覆盖。再者，所定位的半导体晶粒通过退火轨迹被部分地覆盖。

公开(公告)号：CN110660744B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201910574934.9

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶昕豪 ,  颜甫庭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 方法包括在衬底上方形成鳍，在鳍上方形成伪栅极结构，去除鳍的与伪栅极结构相邻的部分以形成第一凹槽，在第一凹槽中沉积应力源材料，从第一凹槽去除应力源材料的至少部分，并且在去除应力源材料的至少部分之后，在第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110660744A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910574934.9

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶昕豪 ,  颜甫庭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 方法包括在衬底上方形成鳍，在鳍上方形成伪栅极结构，去除鳍的与伪栅极结构相邻的部分以形成第一凹槽，在第一凹槽中沉积应力源材料，从第一凹槽去除应力源材料的至少部分，并且在去除应力源材料的至少部分之后，在第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110610861A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910015645.5

申请日：2019-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶昕豪 ,  黄靖宇

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，其公开用于在半导体装置中形成气体间隔物的方法及包括气体间隔物的半导体装置。在一实施例中，此方法可包括于基底上形成栅极堆叠，于栅极堆叠的多个侧壁上沉积第一栅极间隔物，于栅极堆叠的相对侧上外延生长多个源极/漏极区，于第一栅极间隔物上沉积第二栅极间隔物，以于第二栅极间隔物下形成气体间隔物。气体间隔物可横向地设置于源极/漏极区及栅极堆叠之间。