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公开(公告)号：CN112098809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
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公开(公告)号：CN106128972A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610643554.2
申请日：2016-08-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/30
Abstract: 本发明公开一种分立裸芯片探针测试定位矩阵装置，包括呈SOI结构的载体硅片，载体硅片的顶层设有定位槽阵列，定位槽阵列包含两个以上的阵列区，每个阵列区均由一组定位槽构成阵列，各个阵列区的定位槽分别与各个尺寸的分立裸芯片形成配合；所有的定位槽均采用干法刻蚀工艺制得；由于载体硅片的埋氧层具有对干法刻蚀工艺无响应的特点，所以蚀刻后埋氧层的顶面即是定位槽的底面，能够保证定位槽底面的平整度；另外，干法刻蚀工艺对定位槽内壁钻蚀微弱，也保证了定位槽内壁的垂直度；将定位槽阵列分成不同的阵列区域，每个阵列区域中的定位槽分别对应一种尺寸的分立裸芯片，实现在同一载体上同时对多种尺寸分立裸芯片的批量定位。
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公开(公告)号：CN113794847B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N25/71 , H04N25/779
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN110687423A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout-Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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公开(公告)号：CN105226625A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510664514.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开一种双路双向ESD保护电路，设于被保护集成电路的输入端，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102915974A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425955.2
申请日：2012-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/8248
Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。
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公开(公告)号：CN117331211A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328667.X
申请日：2023-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁驱动扫描镜真空封装结构，包括管壳体，在管壳体内设有等待扫描芯片放置块和盖板，在盖板上和壳体设有对应配合的第一、二磁铁，在管壳体上设有等待扫描芯片形成电性连接的引脚，在管壳体开口端连接有光窗组件。本发明一体化真空封装，气密性好，通过设计一体化真空封装结构，可降低产品功耗，结构简单，组装方便适合批量化封装加工。
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公开(公告)号：CN113823626B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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公开(公告)号：CN113823626A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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公开(公告)号：CN110687423B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout‑Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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