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公开(公告)号：CN108796471B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN100517603C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610164648.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。
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公开(公告)号：CN1953145A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610164648.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。
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公开(公告)号：CN111560601A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010081889.6
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110819967A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733817.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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公开(公告)号：CN110819966A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733558.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法，在向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜时，抑制成膜气体绕到载置部的下方并附着于载置部。在从与处理容器内的载置部相向的成膜气体供给部向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜的成膜装置中，以隔着间隙包围载置部的周围的方式设置有第一环状体，并设置有从第一环状体的内周缘向下方延伸的第二环状体。另外，从载置部的周缘起设置包括沿着第二环状体的内周面沿至第二环状体的下端面的流路形成面的第三环状体。
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公开(公告)号：CN102044412B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN102044412A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN1976003B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610163000.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76826
Abstract: 本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上形成槽或孔的工序；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理，除去所述蚀刻掩模的工序；以及通过供给规定的恢复气体，使到所述除去工序为止的工序对所述被蚀刻膜所带来的损伤进行恢复的工序。
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