公开(公告)号：CN101533781A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910128713.5

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管及其制造方法、显示装置及其制造方法，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：利用第一抗蚀剂掩模形成遮光层；在遮光层上形成基底膜；在基底膜上依次层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、以及第二导电膜；利用第二导电膜上的第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、半导体膜、第一绝缘膜进行第一蚀刻；对第一导电膜的一部分进行引起侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；利用第三抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层、源区域及漏区域、以及半导体层，其中第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模使用同一个光掩模形成。

公开(公告)号：CN101527320A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200810183704.1

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于：降低薄膜晶体管的截止电流；提高薄膜晶体管的电特性；提高使用薄膜晶体管的显示装置的图像质量。本发明提供一种薄膜晶体管，包括：在栅电极上隔着栅极绝缘膜设置在不到达该栅电极的端部的内侧区域的半导体膜；至少覆盖半导体膜的侧面的膜；以及形成在覆盖半导体膜的侧面的膜上的一对布线，其中，半导体膜中添加有用作供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN101527284A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910128517.8

申请日：2009-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  梅崎敦司

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G02F1/1362

Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。

公开(公告)号：CN101521231A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910008341.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  小林聪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层被设置为其至少一部分隔着栅极绝缘层重叠于栅电极，并且形成源区及漏区；一对导电层，该一对导电层被配置为其至少一部分在栅极绝缘层上重叠于栅电极及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，并且在沟道长度方向上相离；以及接触栅极绝缘层和一对导电层并且延伸在该一对导电层之间的非晶半导体层。

公开(公告)号：CN101383290A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN101350331A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。

公开(公告)号：CN100440538C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN101308782A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810088432.7

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  沟井达也 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN101118851A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  祝保安弘 ,  丸山纯矢

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下，优选为大于6×10－7/℃且31.8×10－7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为－500N/m以上且+50N/m以下，优选成为－150N/m以上且0N/m以下。

公开(公告)号：CN1332418C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN02121634.7

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

Abstract: 为了得到其中关电流值很低、波动被抑制的TFT，电子设备配备有该TFT。基础绝缘膜和非晶半导体膜之间的膜淀积温度被设定为基本相同，以改善半导体膜的平整度。然后，进行激光照射。