公开(公告)号：CN101533780A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910128712.0

申请日：2009-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法，提供掩模数目少的薄膜晶体管及显示装置的制造方法。通过如下步骤形成薄膜晶体管：形成导电膜；在所述导电膜上具有图案的薄膜叠层体；在所述薄膜叠层体中以到达所述导电膜的方式形成开口部；使用侧面蚀刻加工所述导电膜来形成栅电极层；以及在所述栅电极层上形成绝缘层、半导体层、源电极及漏电极层。通过设置开口部，蚀刻的控制性提高。

公开(公告)号：CN101533780B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910128712.0

申请日：2009-03-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法，提供掩模数目少的薄膜晶体管及显示装置的制造方法。通过如下步骤形成薄膜晶体管：形成导电膜；在所述导电膜上具有图案的薄膜叠层体；在所述薄膜叠层体中以到达所述导电膜的方式形成开口部；使用侧面蚀刻加工所述导电膜来形成栅电极层；以及在所述栅电极层上形成绝缘层、半导体层、源电极及漏电极层。通过设置开口部，蚀刻的控制性提高。

公开(公告)号：CN101521182B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910126428.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沟口隆文 ,  三上真弓 ,  斎藤祐美子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/764 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法。具体地说，形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻来至少使第一导电膜的表面露出；对第一导电膜的一部分进行伴随侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；在第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模；通过进行第三蚀刻形成源电极及漏电极层、源极区及漏极区和半导体层来形成薄膜晶体管；形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜中形成开口部来使源电极或漏电极层的一部分露出；在开口部及第二绝缘膜上选择性地形成像素电极；以及在与开口部重叠的区域中形成由栅电极层构成的支撑部。

公开(公告)号：CN101533781B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200910128713.5

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管及其制造方法、显示装置及其制造方法，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：利用第一抗蚀剂掩模形成遮光层；在遮光层上形成基底膜；在基底膜上依次层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、以及第二导电膜；利用第二导电膜上的第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、半导体膜、第一绝缘膜进行第一蚀刻；对第一导电膜的一部分进行引起侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；利用第三抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层、源区域及漏区域、以及半导体层，其中第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模使用同一个光掩模形成。

公开(公告)号：CN101533781A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910128713.5

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沟口隆文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的名称为薄膜晶体管及其制造方法、显示装置及其制造方法，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：利用第一抗蚀剂掩模形成遮光层；在遮光层上形成基底膜；在基底膜上依次层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、以及第二导电膜；利用第二导电膜上的第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、半导体膜、第一绝缘膜进行第一蚀刻；对第一导电膜的一部分进行引起侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；利用第三抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层、源区域及漏区域、以及半导体层，其中第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模使用同一个光掩模形成。

公开(公告)号：CN101521182A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910126428.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沟口隆文 ,  三上真弓 ,  斎藤祐美子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  G03F1/00 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法。具体地说，形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻来至少使第一导电膜的表面露出；对第一导电膜的一部分进行伴随侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；在第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模；通过进行第三蚀刻形成源电极及漏电极层、源极区及漏极区和半导体层来形成薄膜晶体管；形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜中形成开口部来使源电极或漏电极层的一部分露出；在开口部及第二绝缘膜上选择性地形成像素电极；以及在与开口部重叠的区域中形成由栅电极层构成的支撑部。